Datasheet SIE822DF-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, POLAR PAK — Даташит
Наименование модели: SIE822DF-T1-E3
![]() 7 предложений от 7 поставщиков Труба MOS, MOSFET 20V 50A 104W 3.4mohm @ 10V | |||
SIE822DF-T1-E3 | по запросу | ||
SIE822DF-T1-E3 | по запросу | ||
SIE822DF-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
SIE822DF-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, POLAR PAK
Краткое содержание документа:
SiE822DF
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
ID (A)a VDS (V) 20 RDS(on) () 0.0034 at VGS = 10 V 0.0055 at VGS = 4.5 V Silicon Limit 138 108 Package Qg (Typ.) Limit 50 24 nC 50
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 138 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 3.4 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.3 В
- Корпус транзистора: PolarPAK
- Семейство: 822
- N-channel Gate Charge: 24nC
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 5.5 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 3.4 МОм
- Тип корпуса: PolarPAK
- Power Dissipation Pd: 104 Вт
- Pulse Current Idm: 80 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 3 В
- Voltage Vgs th Min: 1.5 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SIE822DFT1E3, SIE822DF T1 E3