Datasheet FDS6900AS - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, N, SMD, SO-8 — Даташит

Купить FDS6900AS на РадиоЛоцман.Цены — от 8.15 до 135 ₽ 18 предложений от 18 поставщиков MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC. Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A, 8.2A 900mW Surface Mount 8-SOIC. Transistors - FETs, MOSFETs...
Lixinc Electronics Весь мир	FDS6900AS	45 ₽	Купить
Microfind Россия	FDS6900AS Fairchild	98 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	FDS6900A_NL	по запросу	Купить
SUV System Весь мир	FDS6900AS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, N, SMD, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS6900AS
May 2005
FDS6900AS
General Description
Dual N-Ch PowerTrench® SyncFETTM

Спецификации:

• Cont Current Id N Channel 2: 6.9 А
• Cont Current Id N Channel 3: 8.2 А
• Continuous Drain Current Id, N Channel: 8.2 А
• Continuous Drain Current Id: 6.9 А
• Current Id Max: 8.2 А
• Drain Source Voltage Vds, N Channel: 30 В
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), N Channel: 0.017 Ом
• On Resistance Rds(on): 27 МОм
• On State Resistance Channel 1: 27 МОм
• On State Resistance N Channel 2: 22 МОм
• Pulse Current Idm N Channel 2: 20 А
• Pulse Current Idm N Channel 3: 30 А
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Количество выводов: 8
• Количество транзисторов: 1
• Корпус транзистора: SOIC
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 2 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: SOIC
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)