Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SI9933CDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 8SOIC — Даташит

Vishay SI9933CDY-T1-E3

Наименование модели: SI9933CDY-T1-E3

26 предложений от 11 поставщиков
Двойной МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 4 А, 0.048 Ом, SOIC, Surface Mount
Akcel
Весь мир
SI9933CDY-T1-E3
Vishay
от 4.35 ₽
ЧипСити
Россия
SI9933CDY-T1-E3
Vishay
29 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI9933CDYT1E3
2 662 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI9933CDY-T1-E3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, PP CH, 20 В, 8SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -4 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.048 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Полярность транзистора: Dual P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -50°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
  • RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI9933CDYT1E3, SI9933CDY T1 E3

На английском языке: Datasheet SI9933CDY-T1-E3 - Vishay MOSFET, PP CH, 20 V, 8SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России