Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet IRFHM830TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 30 В, 21 А, PQFN33 — Даташит

International Rectifier IRFHM830TR2PBF

Наименование модели: IRFHM830TR2PBF

10 предложений от 10 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin PQFN EP T/R
IRFHM830TR2PBF
International Rectifier
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
IRFHM830TR2PBF
по запросу
Maybo
Весь мир
IRFHM830TR2PBF
Infineon
по запросу
IRFHM830TR2PBF, Nкан 30В 40А PQFN3.3x3.3
Fujitsu-Siemens
по запросу

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 30 В, 21 А, PQFN33

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97547A
IRFHM830PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 21 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.003 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.7 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PQFN
  • Количество выводов: 8
  • Voltage Vgs Max: 20 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • International Rectifier - IR2101PBF

На английском языке: Datasheet IRFHM830TR2PBF - International Rectifier MOSFET, W DIODE, N CH, 30 V, 21 A, PQFN33

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка