Datasheet IRFHM830TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 30 В, 21 А, PQFN33 — Даташит
Наименование модели: IRFHM830TR2PBF
![]() 10 предложений от 10 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin PQFN EP T/R | |||
IRFHM830TR2PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRFHM830TR2PBF | по запросу | ||
IRFHM830TR2PBF Infineon | по запросу | ||
IRFHM830TR2PBF, Nкан 30В 40А PQFN3.3x3.3 Fujitsu-Siemens | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 30 В, 21 А, PQFN33
Краткое содержание документа:
PD - 97547A
IRFHM830PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 21 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.003 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 2.7 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PQFN
- Количество выводов: 8
- Voltage Vgs Max: 20 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- International Rectifier - IR2101PBF