На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheets ON Semiconductor - 9

Производитель: "ON Semiconductor"
Найдено: 2,269 Вывод: 161-180

Вид: Список / Картинки

  1. Биполярный силовой транзистор Дарлингтона средней мощности NPN Биполярный силовой транзистор Дарлингтона разработан для универсальных усилителей и низкоскоростных коммутационных устройств. ТИП120, ТИП121, ТИП122 (NPN); TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) ...
  2. Биполярный силовой транзистор Дарлингтона средней мощности NPN Биполярный силовой транзистор Дарлингтона разработан для универсальных усилителей и низкоскоростных коммутационных устройств. ТИП120, ТИП121, ТИП122 (NPN); TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) ...
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy
  1. Биполярный силовой транзистор Дарлингтона, 5,0 А, 100 В, NPN Биполярный силовой транзистор Дарлингтона разработан для универсальных усилителей и низкоскоростных коммутационных устройств. ТИП120, ТИП121, ТИП122 (NPN); TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) ...
  2. Силовой биполярный транзистор, 1,5 А, 80 В, NPN Эта серия пластиковых силовых биполярных транзисторов NPN разработана для использования в качестве усилителей звука и драйверов с использованием дополнительных или квазикомплементарных схем.
  1. SiC-модули, полумостовой 2-PACK 1200 В, 6 МОм SiC MOSFET, корпус F2 NXH006P120MNF2 - это полумост или SiC-модуль с двумя пакетами с двумя переключателями SiC MOSFET на 6 МОм 1200 В и термистором в корпусе F2. Переключатели SiC MOSFET используют ...
  2. Модуль SiC, топология полумоста из 2 элементов, 1200 В, 10 МОм SiC MOSFET NXH010P120MNF1 - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET 10 МОм и термистор NTC в модуле AM F1.
  3. Дополнительный двойной транзистор NPN и PNP Это дополнительное устройство предназначено для использования в качестве усилителя средней мощности и переключателя, требующего токи коллектора до 500 мА. Получено из процесса 19 и 63. Характеристики см. ...
  4. Усилитель общего назначения NPN и PNP Это дополнительное устройство предназначено для использования в качестве усилителя средней мощности и переключателя, требующего токи коллектора до 500 мА. Получено из процесса 19 и 63. Характеристики см. В ...
  5. Биполярный транзистор PNP Биполярный транзистор PNP разработан для использования в линейных и коммутационных приложениях. Устройство размещено в корпусе ТО-92, который предназначен для приложений средней мощности.
  6. Усилитель JFET VHF / UHF N-канал - истощение
  7. Переключающий транзистор PNP Коммутационный транзистор PNP Это устройство разработано для очень высокоскоростной коммутации с насыщением при токах коллектора до 100 мА. Получено из процесса 65. Характеристики см. В PN4258.
  8. Биполярный транзистор NPN Этот биполярный транзистор NPN разработан для коммутации общего назначения и размещается в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23. Это устройство идеально подходит для поверхностного монтажа с низким энергопотреблением.
  9. Биполярный транзистор NPN Этот биполярный транзистор NPN разработан для коммутации общего назначения и размещается в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23. Это устройство идеально подходит для поверхностного монтажа с низким энергопотреблением.
  10. Датчик температуры с подавлением последовательного сопротивления ADT7461A - это двухканальный цифровой термометр и сигнализатор пониженной / повышенной температуры, предназначенный для использования в ПК и системах терморегулирования. Он совместим ...
  11. Датчик температуры с подавлением последовательного сопротивления ADT7461 - это двухканальный цифровой термометр и сигнализатор понижения / перегрева, предназначенный для использования в ПК и системах терморегулирования. Он совместим с ADM1032 по ...
  12. Программируемый однопереходный транзистор Программируемый однопереходный транзистор разработан, чтобы позволить инженеру программировать характеристики однопереходного соединения, такие как RBB,, IV и IP, путем простого выбора двух значений ...
  13. Программируемый однопереходный транзистор Программируемый однопереходный транзистор разработан, чтобы позволить инженеру программировать характеристики однопереходного соединения, такие как RBB,, IV и IP, путем простого выбора двух значений ...
  14. Комплементарные кремниевые силовые транзисторы Дарлингтона ВАРИАНТ 1−07 TO − 204AA (TO − 3) V CEO (sus) = 80 В постоянного тока (мин.) - 2N6058 (npn) V CEO (sus) = 100 В постоянного тока (мин.) - 2N6052 (pnp), 2N6059 (npn)
  15. Комплементарные кремниевые силовые транзисторы Дарлингтона ВАРИАНТ 1−07 TO − 204AA (TO − 3) V CEO (sus) = 80 В постоянного тока (мин.) - 2N6058 (npn) V CEO (sus) = 100 В постоянного тока (мин.) - 2N6052 (pnp), 2N6059 (npn)
  16. Биполярный силовой транзистор Дарлингтона, 12 А, 100 В, PNP Этот биполярный силовой PNP-транзистор Дарлингтона разработан для универсальных усилителей и низкочастотных переключателей.

Сортировать по: релевантность / дата

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России