Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

DataSheets: Биполярные транзисторные сборки и модули

Производитель: "NXP"
Серия: "BC846BS"
Найдено: 122   Вывод: 1-20
Показывать: списком картинками
  1. Datasheet NXP BC846DS
    65 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor pair Specifications: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65 V DC Collector Current: 100 mA DC Current Gain: 200 Number of Pins: 6 Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Power Dissipation: 250 mW ...
  2. Datasheet NXP BC846BPN
    65 V, 100 mA NPN/PNP general-purpose transistor
  3. Datasheet NXP BC846BS
    65 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor pair
  4. Datasheet BC856S - NXP Даташит Транзистор, PNP/PNP, 65 В, SOT363
    Наименование модели: BC856S Производитель: NXP Описание: Транзистор, PNP/PNP, 65 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BC856S 65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor Rev. 02 -- 19 February 2009 Product data sheet 1. ...
  5. Datasheet PUMX1 - NXP Даташит Транзистор, цифровой, NPNNPN, SOT363
    Наименование модели: PUMX1 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, NPNNPN, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PUMX1 40 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor Rev. 04 -- 20 January 2010 Product data sheet 1. ...
  6. Datasheet PUMH19 - NXP Даташит Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363
    Наименование модели: PUMH19 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество выводов: 6 Тип корпуса: ...
  7. Datasheet PUMH15 - NXP Даташит Транзистор, сдвоенный цифровой SOT-363
    Наименование модели: PUMH15 Производитель: NXP Описание: Транзистор, сдвоенный цифровой SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество выводов: 6 Тип корпуса: ...
  8. Datasheet PUMF12 - NXP Даташит Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363
    Наименование модели: PUMF12 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: PNP Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество выводов: 6 Тип корпуса: ...
  9. Datasheet PUMB9 - NXP Даташит Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363
    Наименование модели: PUMB9 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество ...
  10. Datasheet PUMB13 - NXP Даташит Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363
    Наименование модели: PUMB13 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество ...
  11. Datasheet PUMB1 - NXP Даташит Транзистор, сдвоенный цифровой SOT-363
    Наименование модели: PUMB1 Производитель: NXP Описание: Транзистор, сдвоенный цифровой SOT-363 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество ...
  12. Datasheet PMD2001D - NXP Даташит Транзистор, NPN/PNP, 40 В, SSOT-6
    Наименование модели: PMD2001D Производитель: NXP Описание: Транзистор, NPN/PNP, 40 В, SSOT-6 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMD2001D MOSFET driver Rev. 02 -- 28 August 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General ...
  13. Datasheet PEMZ7 - NXP Даташит Транзистор, NPN/PNP, SOT-666
    Наименование модели: PEMZ7 Производитель: NXP Описание: Транзистор, NPN/PNP, SOT-666 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: NPN / PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12 В Частота единичного усиления типовая: 280 МГц ...
  14. Datasheet PBLS4005Y - NXP Даташит Транзистор, переключатель SOT-363
    Наименование модели: PBLS4005Y Производитель: NXP Описание: Транзистор, переключатель SOT-363 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP / NPN Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 40 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество ...
  15. Datasheet PBLS4005V - NXP Даташит Транзистор, переключатель, SOT-666
    Наименование модели: PBLS4005V Производитель: NXP Описание: Транзистор, переключатель, SOT-666 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP / NPN Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 40 В Корпус транзистора: SOT-666 Тип ...
  16. Datasheet PBLS4004Y - NXP Даташит Транзистор, переключатель, SOT-363
    Наименование модели: PBLS4004Y Производитель: NXP Описание: Транзистор, переключатель, SOT-363 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP / NPN Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 40 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество ...
  17. Datasheet PBLS4001Y - NXP Даташит Транзистор, переключатель, SOT-363
    Наименование модели: PBLS4001Y Производитель: NXP Описание: Транзистор, переключатель, SOT-363 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 40 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество ...
  18. Datasheet PBLS1504V - NXP Даташит Транзистор, переключатель SOT-666
    Наименование модели: PBLS1504V Производитель: NXP Описание: Транзистор, переключатель SOT-666 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 15 В Корпус транзистора: SOT-666 Количество ...
  19. Datasheet PUMH18 - NXP Даташит Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363
    Наименование модели: PUMH18 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Рабочий диапазон температрур: -65°C .. +150°C Корпус транзистора: ...
  20. Datasheet PBSS3515VS - NXP Даташит Транзистор, PNP, SOT-666
    Наименование модели: PBSS3515VS Производитель: NXP Описание: Транзистор, PNP, SOT-666 Скачать Data Sheet Данные для моделирования Спецификации: Module Configuration: Dual Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15 В Power ...
Сортировать по: релевантности дате
 Страницы:
← предыдущая   следующая →
 1    2    3    4    5    6    7 

Применение литиевых батареек Fanso в электронных приборах учета энергоресурсов
Новое семейство микроконтроллеров STM32G0
Срезы ↓
Новая Инженерная Школа
Новая Инженерная Школа
Курсы и семинары для инженеров, технологов, разработчиков и конструкторов предприятий приборостроения.

Рейтинг@Mail.ru