|
Специалист
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,668
Репутация: 267
 |
Цитата:
Журнал РАДИОЛОЦМАН, июнь 2018 Михаил Шустов, Андрей Шустов, г. Томск Предложена схема двуханодного MOSFET тиристора, обладающего повышенным быстродействием, высоким входным сопротивлением и исключительно малыми потерями Тиристорные (симисторные) коммутаторы нагрузки в силу неустранимых конструкционных особенностей отличаются высоким катод-анодным падением напряжения на них в открытом состоянии и низким быстродействием.
|
||
|
Оценка
|
|
Цифровой датчик DS18B20 – простое и надёжное решение для контроля температуры в любых проектах. Применяется как для бытовых задач, так и для мониторинга теплового режима самих радиоэлектронных устройств. Сегодня на российском рынке доступны качественные альтернативы оригинальному DS18B20 от ведущих азиатских производителей,таких как Youtai (UMW)), EVVO, HKSHAN, MSKSEMI, JSMICRO, MYSENTEC и другие. Проведем сравнительный анализ характеристик датчиков DS18B20, выпускаемых различными производителями.
 |
|
Новичок
Регистрация: 23.03.2017
Сообщений: 1
Репутация: 10
|
Приветствую! Как рассчитать R1, R2, R3?
|
||
|
Оценка
|
|
На склад КОМПЭЛ поступили OLED-дисплеи с диагональю 0,96…1,54 дюйма китайского производителя SIMAIR. Среди ключевых преимуществ этих OLED – низкое энергопотребление, высокая контрастность и яркость, широкие углы обзора, а также возможность отображения графики и текста. Дисплеи данного типа могут найти применение в различных устройствах с ограниченным пространством для размещения индикатора. По потребительским качествам это один из лучших типов дисплеев.
|
|
Новичок
Регистрация: 20.02.2020
Сообщений: 22
Репутация: 20
|
На Рисунке 1 приведена обобщенная схема, без указания номиналов. Конкретные данные для одного из вариантов схем приведены на Рисунке 3. Для этой схемы номиналы резисторов R3 и R4 не критичны, могут быть в пределах от 10 до 100 кОм в зависимости от величины питающего напряжения. Формально они в сочетании со стабилитронами VD3 и VD4 необходимы для обеспечения защиты транзисторов от повышенного напряжения, снимаемого с анода тиристора VS1. Для низковольтных приложений эти элементы не обязательны.
Номинал резистора R2 определяется следующим образом: максимальное значение - по току отпускания тиристора; минимальное - из условий экономичности устройства. Резистор R1 ограничивает ток через управляющий переход тиристора, номинал вычисляют исходя из паспортных данных на тиристор. Подводя итоги и в порядке дополнения. Для Рисунка 3 расчету подлежат только номиналы резисторов R1 и R2 выраженные в [кОм], которые рассчитывают, исходя из параметров используемого тиристора по формуле: максимальное Напряжение на аноде закрытого тиристора (или Напряжение входного управляющего сигнала) [В] минус Напряжение "анод-катод" открытого тиристора или (Напряжение "управляющий электрод-катод"), соответственно, деленное на рекомендуемый справочниками Ток через эти электроды [мА]. |
||
|
Оценка
|
|
Специалист
Регистрация: 03.01.2013
Сообщений: 1,078
Репутация: 324
|
Цитата:
Для создания этого удерживающего напряжения при мосфетовских 0.25 Ω понадобиться какой то огромный ток. И все придет к тому что и было. Но если VD1,VD2 подключить к верхним выводам нагрузки то все будет в порядке, но это уже совсем другая история. |
||
|
Оценка
|
| Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |
Версия для печати
Отправить по электронной почте
