AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Обсуждение: Высокоэффективный подход к построению входных диодных мостов

Страница 7 из 7
Новичок
 
Регистрация: 27.11.2011
Сообщений: 36
Репутация: 15
4 0
0 0
 
10.05.2015 02:17 #61
Цитата:
Сообщение от Onkel
технические данные- не вопрос веры.
А чего же ещё ? Не будешь же каждую деталь прогонять по полному циклу испытаний. Вот и приходится верить написанному.
Цитата:
Сообщение от Onkel
Нужно будет 1 мОм - будет 1 мОм.
Партия сказала надо.... А почему сразу не микроОмы, а лучше сверхпроводимость. Всему есть предел. В них, только сопротивление ножек, на пол миллиОма затянет. И материал кристала, явно не медь.
Цитата:
Сообщение от Onkel
Кремниевый диод на pn переходе всегда будет просаживать 0,6-0,7 В, диод Шоттки на кремнии - 0,3- 0,4 В, это - законы физики, а просадка напряжения на мосфите - вопрос технологии.
Не нужно путать законы со свойствами.
Падение на pn переходе, тоже вопрос технологий, и зависит от контактной разности применяемых материалов. В кремний можно присадок добавить.
Придумали же диод шотки и карбид кремния, и ещё что нибудь придумают. Возможно на основе графена.
Цитата:
Сообщение от Onkel
Так что статья актуальна и правильна.
А кто против ? Вполне сгодится, качестве костыля, до момента появления нового класса диодов, с более низким напряжение открытия. Я просто указал на явные недостатки схемотехнического решения.
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 08.05.2012
Сообщений: 184
Репутация: 36
26 6
0 4
 
11.05.2015 09:20 #62
vt1980
---Не нужно путать законы со свойствами.

не нужно. Напряжение падения на pn- переходе - закон, сопротивление легированного кристалла - свойство. Свойство можно оптимизировать, например, уменьшать.

----Падение на pn переходе, тоже вопрос технологий, и зависит от контактной разности применяемых материалов.
вы не путаете физику полупроводников с физикой металлов? Имхо и ваша любовь к трепу - следствие простого незнания законов физики. В pn переходе падение напряжения (примерно, для незнающих физику приближение сойдет) ширина запрещенной зоны минус энергии зон доноров и акцепторов. Она не может быть очень малой - когда она мала -тогда полупроводник становится металлом.
---- В кремний можно присадок добавить.
Присадки - они в металлургии. В физике у вас не получится создать достаточно глубокие зоны с достаточным временем жизни носителей. Что же до "можно добавить" - намекну вам, что все, что можно добавить в кремний, было добавлено лет 50 назад, как минимиум.
---Придумали же диод шотки и карбид кремния
диод Шоттки придумали еще до диода на pn переходе, но у него 0,3 В - опять же ограничение не технологическое, а физическое. Что же до карбида кремния- вы видимо слышали звон, но кроме звона есть его свойства - самая узкозонная модификация карбида кремния имеет шинину запрещенной зоны 2,4 эВ - вы представляете при каком напряжении будет открыт диод на SiC? А применяют SiC диоды при высоких напряжениях, потому что у него лавинные свойства лучше, и при свч - потому что на более глубоких уровнях и зонах SiC диссипация быстрее.
Последний раз редактировалось Onkel; 11.05.2015 в 09:50.
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 27.11.2011
Сообщений: 36
Репутация: 15
4 0
0 0
 
12.05.2015 08:29 #63
Цитата:
Сообщение от Onkel
Свойство можно оптимизировать, например, уменьшать.
Может всё-же меняется в первую очередь материал, а в следствии чего затем уже его свойства. А то получается что причина и следствие наоборот.
Цитата:
Сообщение от Onkel
Что же до карбида кремния- вы видимо слышали звон
Я говорил в общем, про улучшение характеристик, а не только про напряжение перехода.
Цитата:
Сообщение от Onkel
когда она мала -тогда полупроводник становится металлом.
Всё таки до нуля ещё далеко. Я видел статьи, где говорится что даже при 0,3 эВ транзисторы на графене работают.
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 08.05.2012
Сообщений: 184
Репутация: 36
26 6
0 4
 
12.05.2015 11:19 #64
---vt1980
---Я говорил в общем
а я конкретно. Транзисторы на карбиде кремния неприменимы для выпрямления низких напряжений.
---Может всё-же меняется в первую очередь материал, а в следствии чего затем уже его свойства
свойства прибора, в частности мосфита - сопротивление открытого канала уменьшается набором площади в основном. Материал - легатуры кремния можно пересчитать по пальцам, и все они уже и в хвост и в гриву поисследованы. Реально - ближайшие (справа, слева, и справа/слева плюс выше /ниже) - все остальное дает не уровни и не зоны, а целые структуры уровней, которые превращают полупроводник в решето.
--- даже при 0,3 эВ транзисторы на графене работают.
это не мировой рекорд. логика с комплементарной парой кмоп на кремнии работает при 0.8 В - это серийная логика. Кстати, что это вы меряете в эВ - энергию одного электрона ?
Оценка
Ответ
Страница 7 из 7
Похожие темы
Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Часовой пояс GMT +3, время: 10:12.
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх