Новичок
Регистрация: 27.11.2011
Сообщений: 36
Репутация: 15
![]() |
![]() ![]() Цитата:
Падение на pn переходе, тоже вопрос технологий, и зависит от контактной разности применяемых материалов. В кремний можно присадок добавить. Придумали же диод шотки и карбид кремния, и ещё что нибудь придумают. Возможно на основе графена. А кто против ? Вполне сгодится, качестве костыля, до момента появления нового класса диодов, с более низким напряжение открытия. Я просто указал на явные недостатки схемотехнического решения. |
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 08.05.2012
Сообщений: 184
Репутация: 36
![]() |
vt1980
---Не нужно путать законы со свойствами. не нужно. Напряжение падения на pn- переходе - закон, сопротивление легированного кристалла - свойство. Свойство можно оптимизировать, например, уменьшать. ----Падение на pn переходе, тоже вопрос технологий, и зависит от контактной разности применяемых материалов. вы не путаете физику полупроводников с физикой металлов? Имхо и ваша любовь к трепу - следствие простого незнания законов физики. В pn переходе падение напряжения (примерно, для незнающих физику приближение сойдет) ширина запрещенной зоны минус энергии зон доноров и акцепторов. Она не может быть очень малой - когда она мала -тогда полупроводник становится металлом. ---- В кремний можно присадок добавить. Присадки - они в металлургии. В физике у вас не получится создать достаточно глубокие зоны с достаточным временем жизни носителей. Что же до "можно добавить" - намекну вам, что все, что можно добавить в кремний, было добавлено лет 50 назад, как минимиум. ---Придумали же диод шотки и карбид кремния диод Шоттки придумали еще до диода на pn переходе, но у него 0,3 В - опять же ограничение не технологическое, а физическое. Что же до карбида кремния- вы видимо слышали звон, но кроме звона есть его свойства - самая узкозонная модификация карбида кремния имеет шинину запрещенной зоны 2,4 эВ - вы представляете при каком напряжении будет открыт диод на SiC? А применяют SiC диоды при высоких напряжениях, потому что у него лавинные свойства лучше, и при свч - потому что на более глубоких уровнях и зонах SiC диссипация быстрее.
Последний раз редактировалось Onkel; 11.05.2015 в 09:50.
|
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 27.11.2011
Сообщений: 36
Репутация: 15
![]() |
Может всё-же меняется в первую очередь материал, а в следствии чего затем уже его свойства. А то получается что причина и следствие наоборот.
Я говорил в общем, про улучшение характеристик, а не только про напряжение перехода. Всё таки до нуля ещё далеко. Я видел статьи, где говорится что даже при 0,3 эВ транзисторы на графене работают. |
||
Оценка
|
Новичок
Регистрация: 08.05.2012
Сообщений: 184
Репутация: 36
![]() |
---vt1980
---Я говорил в общем а я конкретно. Транзисторы на карбиде кремния неприменимы для выпрямления низких напряжений. ---Может всё-же меняется в первую очередь материал, а в следствии чего затем уже его свойства свойства прибора, в частности мосфита - сопротивление открытого канала уменьшается набором площади в основном. Материал - легатуры кремния можно пересчитать по пальцам, и все они уже и в хвост и в гриву поисследованы. Реально - ближайшие (справа, слева, и справа/слева плюс выше /ниже) - все остальное дает не уровни и не зоны, а целые структуры уровней, которые превращают полупроводник в решето. --- даже при 0,3 эВ транзисторы на графене работают. это не мировой рекорд. логика с комплементарной парой кмоп на кремнии работает при 0.8 В - это серийная логика. Кстати, что это вы меряете в эВ - энергию одного электрона ? |
||
Оценка
|
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |