|
Эксперт
Регистрация: 27.10.2012
Сообщений: 3,365
Репутация: 899
  |
А VT1 на радиаторе?
|
||
|
Оценка
|
|
Мониторинг и контроль температуры необходимы во многих устройствах и приборах. Сложно найти электронную систему, в которой не присутствовал бы тот или иной температурный датчик. Многие азиатские производители производят датчики, которые не уступают по качеству популярным западным решениям и выгодно отличаются от них по цене. Каждая из компаний обладает большим опытом в производстве микроэлектронных приборов и имеет мощные отделы разработки и контроля качества. Они предлагают не только свои разработки, но также функциональные и Pin-to-Pin-аналоги популярных датчиков западных компаний в конструктивных исполнениях для самых разнообразных областей применения.
 |
|
Новичок
Регистрация: 18.08.2015
Сообщений: 77
Репутация: 19
|
|
||
|
Оценка
|
|
Компания Chipown представила высокоскоростной драйвер PN7113 для управления N-канальными транзисторами MOSFET или IGBT, работающими в полумостовой топологии. Микросхема является Pin-to-Pin совместимым аналогом популярных западных драйверов хх2110, хх2113 и хх2112, но при этом имеет существенное преимущество – более доступную цену. В статье приведен детальный разбор сравнительных параметров драйверов PN7113 и хх211x, их электрических характеристик, а также схем включения, цоколевки и описания выводов.
|
|
Эксперт
Регистрация: 27.10.2012
Сообщений: 3,365
Репутация: 899
|
Нужен. В компьютерных БП он всегда на радиаторе. По сути этот БП блокинг-генератор с самовозбуждением. Отсюда низкая крутизна фронтов включения/выключения транзистора и его нагрев. Это плата за простоту схемы.
|
||
|
Оценка
|
|
Новичок
Регистрация: 03.02.2009
Адрес: Орехово - Зуево
Сообщений: 24
Репутация: 10
|
|
||
|
Оценка
|
|
Эксперт
Регистрация: 17.04.2014
Адрес: Южное Подмосковье
Сообщений: 1,855
Репутация: 812
|
Ты хоть в одной зарядке от мобилки встречал радик на транзисторе? Вот и я не встречал.
sayar07, Вы не правы, Вы не учитываете соотношение мощностей зарядки для мобильника и обсуждаемого бп. Кроме того, нагрев транзистора в блокинг-генераторе зависит от типа применяемого транзистора. Чем меньше его сопротивление в открытом состоянии и чем больше к-нт усиления, тем меньше его нагрев. Примените, например, составной транзистор и Вы получите меньший нагрев |
||
|
Оценка
|
|
Эксперт
Регистрация: 27.10.2012
Сообщений: 3,365
Репутация: 899
|
|
||
|
Оценка
|
| Ответ |
Страница 9 из 22
|
| Метки |
| импульсный блок питания |
| Похожие темы |
|
|
| Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |
Версия для печати
Отправить по электронной почте
