Источники питания KEEN SIDE

Маломощный импульсный БП на транзисторах.

Страница 11 из 22
Новичок
 
Регистрация: 18.08.2015
Сообщений: 77
Репутация: 19
11 11
2 1
 
08.10.2017 01:16 #101
ruslsus, попробуйте заменить быстровосстанавливающийся диод на диод Шоттки и сравните нагрев ключа. Отпишитесь... Транс я намотал попроще. Сначала первичка 160 вит., потом обмотка ОС - 7вит., а затем вторичка - 15вит. Зазор в сердечнике равен толщине бумажного скотча)

Ниже прикреплю схему с номиналами, которые я использовал:

Возможно для лучших характеристик нужно лучше подобрать номиналы R9,C5 и R11,C7 (теоретически с номиналами 22н и 680 Ом частота равна 67кГц,
если я не ошибаюсь
). К сожалению у меня нет осциллографа для проверки реальной частоты и подгонки номиналов указанных выше деталей.
Последний раз редактировалось Флетчер; 08.10.2017 в 01:24.
Оценка
КОМПЭЛ продолжает серию публикаций, посвященных азиатским АЦП, их сравнению по цене, функционалу и ограничениям. В этом выпуске - обзор изолированных сигма-дельта модуляторов, предназначенных для точной оцифровки слабых сигналов в условиях высоких помех. Такие компоненты особенно востребованы, когда требуется гальваническая развязка аналогового тракта от цифровой части системы. Рассмотрим характеристики, конкретные модели изолированных сигма-дельта модуляторов рекомендованных производителей
Новичок
 
Регистрация: 17.02.2010
Сообщений: 15
Репутация: 10
0 3
0 0
 
08.10.2017 10:11 #102
Спасибо за помощь. Диод шотки in5819 стоял изначально с ним тоже грелся ключ. Конденсатор С7 ставил 47н, 10н , 4.7н. Надо попробовать уменьшить R11. Собирал я бп по этой схеме.
Оценка
Растущие требования к эффективности, компактности и надёжности в промышленной автоматизации, телекоммуникациях, дата-центрах и электротранспорте делают карбид кремния (SiC) не просто альтернативой кремнию, а ключевым инструментом инженерных решений. Китайские производители предлагают SiC-диоды и транзисторы, сопоставимые по характеристикам с мировыми аналогами при оптимизированной стоимости. В каталоге КОМПЭЛ представлен широкий выбор SiC-дискретов, доступных со склада для ваших проектов.
Эксперт
 
Регистрация: 27.10.2012
Сообщений: 3,365
Репутация: 899
864 125
9 5
 
08.10.2017 11:31 #103
Это приведёт к увеличению выходного напряжения, которое зависит от отношения R10/R11. Остальные параметры не изменятся..
Оценка
Азиатские датчики влажности сегодня — это сочетание надёжности, высокой точности и доступной цены, достигнутое благодаря активным инвестициям в разработки и оптимизированному производству. Они успешно конкурируют с западными аналогами, позволяя снижать себестоимость проектов без ущерба для качества. КОМПЭЛ предлагает широкий выбор датчиков влажности от популярных азиатских брендов для любых задач. В статье — обзор ключевых параметров китайских датчиков влажности и практические рекомендации по их установке.
Новичок
 
Регистрация: 17.02.2010
Сообщений: 15
Репутация: 10
0 3
0 0
 
08.10.2017 11:39 #104
Имелось ввиду резистор R11, по схеме которую выложил Флетчер, по моей схеме это резистор R6.
Оценка
Banned
 
Регистрация: 19.02.2017
Сообщений: 1,553
Репутация: 137
188 79
69 13
 
08.10.2017 12:00 #105
А RC цепочка в базе 13003 всем не поможет ?
Оценка
Эксперт
 
Аватар для corbyn50011
 
Регистрация: 17.10.2010
Адрес: Томск
Сообщений: 3,365
Записей в дневнике: 3
Репутация: 921
908 2,771
28 71
 
08.10.2017 12:41 #106
Цитата:
Сообщение от ozels
А RC цепочка в базе 13003 всем не поможет ?
Не понять- в ГДЕ ЗАГВОСТКА.
Откройте ЛЮБУЮ схему БП на 3 (трёх) транзисторах.
SHIVAKI - (примерьте)
__________________
Никогда не спорьте с идиотами.Вы опуститесь до их уровня, где они задавят вас своим опытом. МАРК ТВЕН.
...
Оценка
Эксперт
 
Регистрация: 27.10.2012
Сообщений: 3,365
Репутация: 899
864 125
9 5
 
09.10.2017 01:37 #107
Уменьшение сопротивления резистора в базовой цепи вряд ли поможет. Если коэффициент трансформации обмотка1\обмотка связи около 20, то на обмотке связи будет напряжение 300/20=15 В. С учётом потерь примерно 10 В. Ток базы при этом будет 10 мА, чего с избытком хватит для насыщения транзистора.
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 18.08.2015
Сообщений: 77
Репутация: 19
11 11
2 1
 
09.10.2017 02:10 #108
ruslsus, какой зазор у трансформатора? Ключ греется под нагрузкой или без?

Цитата:
Сообщение от ozels
А RC цепочка в базе 13003 всем не поможет ?
ozels, а можно поподробнее!?

Цитата:
Сообщение от corbyn50011
Откройте ЛЮБУЮ схему БП на 3 (трёх) транзисторах.
corbyn50011, вы имеете ввиду подобную схему?
Оценка
Banned
 
Регистрация: 19.02.2017
Сообщений: 1,553
Репутация: 137
188 79
69 13
 
09.10.2017 07:52 #109
Цитата:
Сообщение от Флетчер
ruslsus, какой зазор у трансформатора? Ключ греется под нагрузкой или без?


ozels, а можно поподробнее!?


corbyn50011, вы имеете ввиду подобную схему?
Вот чудесненько ... индуктивность первички 680 ... в трое меньше , при этом параметры частотозадающей цепи разняться раз в пять по сравнению с вашей схемой .
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 17.02.2010
Сообщений: 15
Репутация: 10
0 3
0 0
 
09.10.2017 08:23 #110
Цитата:
Сообщение от Флетчер
какой зазор у трансформатора? Ключ греется под нагрузкой или без?
Зазор точно незнаю, но приблизительно 0.3 - 0.4 мм, я его подгонял под индуктивность первичной обмотки 2140 мкГн. Ключ греется без нагрузки до температуры 80 - 90 градусов.

Вопрос может ли стабилизация в этой схеме, которою я выкладывал выше влиять на такой нагрев ключа? Можно ли отключить стабилизацию, не сгорит ли в таком случае силовой транзистор?
Оценка
Ответ
Страница 11 из 22
Метки
импульсный блок питания
Похожие темы
Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Часовой пояс GMT +3, время: 20:52.
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх