Знаток
Регистрация: 12.11.2010
Адрес: Владимир
Сообщений: 243
Репутация: 110
|
Цитата:
По таким расчётам получается транзистор в разы шустрее, чем по заявлениям завода-изготовителя для того же экземпляра: "предназначен для работы до 60 кГц" допустим. |
||
Оценка
|
Гуру
Регистрация: 08.05.2006
Адрес: москва
Сообщений: 8,279
Репутация: 2218
|
рассматривать работу полевого транзистора без изучения конкретной схемы включения - "гадание на коофейной гуще"
Вот, что пишут на КОТЕ:- Параметр "Максимальная частота" для полевых транзисторов с изолированным затвором не имеет смысла. И вот почему. Быстродействие полевых транзисторов определяется только паразитными ёмкостями. В том числе, ёмкостью затвор-исток. Как быстро Вы сумеете эту ёмкость перезаряжать, так же быстро полевой транзистор будет включаться. Зарядите за микросекунду - включится за микросекунду. Зарядите за наносекунду (в чём я сильно сомневаюсь) - включится за наносекунду. Это справедливо для транзисторов не имеющих внутреннего диода. Щн (диод) вносит свои коррективы. |
||
Оценка
|
Специалист
Регистрация: 22.09.2010
Адрес: г. Донецк
Сообщений: 873
Репутация: 381
|
Я также задавался этим вопросом, аналогично наткнувшись на рекомендации рассматривать конкретную схему. Отчасти это правильно, поскольку при неизвестных энергетических характеристиках драйвера(ов), тем более отсутствии схемы управления, сами по себе параметры транзистора из даташита - это лишь часть уравнения.
Так, если в управлении силовой частью (мост, полумост, etc.) используются законченные м/с драйверов (без трансформаторных развязок и прочих ухищрений), то можно поверить осциллограммам и характеристикам их даташита, приведённым для конкретной нагрузки: времени "вкл/выкл" (простите, утрирую), графикам "rise / fall / delay... time vs voltage / capacitance / temperature..." и т.д. Например, производители 6-ти амперного драйвера MAX4429 обещают за 25-60нс разрядить ёмкость затвора в 2500 пФ. Опять же, при конкретных условиях. А вот напряжение затвор-исток, мощность управления затвором, ток - всё это параметры конкретной схемы. Для бутстрепных драйверов аналогичной мощности это время будет на порядок больше. Например, по памяти, у микросхем IR2110 (2-3А) уйдёт 100-150нс на гораздо меньшую ёмкость в 1000пФ. Если же драйверы выполнены на дискретных компонентах - знать их быстродействие в связке с конкретным транзистором может, пожалуй, только производитель. Иначе придётся проделать небольшую научно-исследовательскую работу по оценке эффективности неизвестной схемы управления. Поэтому приходится довольствоваться приведёнными в даташите на транзистор скоростными (но не частотными) характеристиками, снятыми производителем при конкретных параметрах испытательной схемы. Но ведь к счастью, в большинстве силовых импульсных источников рабочие частоты переключения колеблются в пределах 10-100кГц, что позволяет выбирать транзисторы на замену ориентируясь по мощности, напряжению и паразитным емкостям из даташитов. И стоимости. Например, вот начало моего списка 500-вольтовых c каналом N-типа в порядке роста стоимости. Ведь нередко приходится выбирать в ущерб всем остальным параметрам. Транзистор полевой IRF840A TO220(500V; 8A; 0.85 Ohm; 125W; 1018pF) Транзистор полевой STP9NK50Z TO220(N; 500V; 7.2A; 110W; 0.85 Ohm) аналог IRF840 Транзистор полевой BUZ91 TO220(N; 600V; 8.5A; 150W; 0.8 Ohm; 1400pF) Транзистор полевой STP14NK60Z TO220(N; 600V; 13.5A; 160W; 0.5 Ohm) 2200pF Транзистор полевой IRFB11N50A TO220(N; 500V; 11A; 170W; 0.52 Ohm) 1423 pF Транзистор полевой PHP8N50E TO220(N; 550V; 17A; 139W; 0.199 Ohm) 1800 pF Транзистор полевой IRFP450 TO247(N; 500V; 14A; 190W; 0.4 Ohm) 2600 pF Транзистор полевой STP14NK60Z TO220(N; 600V; 13.5A; 160W; 0.5 Ohm) 2200pF Транзистор полевой SPP11N80C3 TO220(N; 800V; 11A; 156W; 0.45 Ohm) 1600pF Транзистор полевой IRFP460 TO247(N; 500V; 20A; 280W; 0.27 Ohm) 4200pF Транзистор полевой STW14NK50Z TO247(N; 500V; 14A; 150W; 0.38 Ohm) 2000pF Транзистор полевой G30N60A4D TO247(IGBT; N; 600V; 75A; 463W; diode)(=HGTG30N60A4D) 1500pF Транзистор полевой IRGP50B60PD1 TO247(IGBT; N; 600V; 75A; 370W; 61 mOhm; Uce=2.0V) 3648 pF Транзистор полевой IRGP20B60PD TO247(IGBT; N; 600V; 40A; 220W; 150KHz; 0.158 Ohm; Usat=2.05V) |
||
Оценка
|
Специалист
Регистрация: 22.09.2010
Адрес: г. Донецк
Сообщений: 873
Репутация: 381
|
При изучении вопроса управления мощными IGBT модулями, в частности семикроновскими SKM151 и SKM200, наткнулся вот на это эссе, полное драматизма Драйвер и приёмка «5»: всё ли так просто? Мне понравились эти 10 страниц инженерной лирики. Возможно, кому-то также будет интересно заглянуть за ширму военной приёмки.
|
||
Оценка
|
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |