Цитата:

Сообщение от vadtom

Dimmich, примерно оценить частоту можно можно и без прочтения "заумных книжек" Вспомним из школьной физики - частота есть величина обратная периоду. Берем время включения плюс время выключения и делим единицу на эту сумму

Тоже предполагал это. Не вышло.
По таким расчётам получается транзистор в разы шустрее, чем по заявлениям завода-изготовителя для того же экземпляра: "предназначен для работы до 60 кГц" допустим.

рассматривать работу полевого транзистора без изучения конкретной схемы включения - "гадание на коофейной гуще"
Вот, что пишут на КОТЕ:- Параметр "Максимальная частота" для полевых транзисторов с изолированным затвором не имеет смысла. И вот почему. Быстродействие полевых транзисторов определяется только паразитными ёмкостями. В том числе, ёмкостью затвор-исток. Как быстро Вы сумеете эту ёмкость перезаряжать, так же быстро полевой транзистор будет включаться. Зарядите за микросекунду - включится за микросекунду. Зарядите за наносекунду (в чём я сильно сомневаюсь) - включится за наносекунду.
Это справедливо для транзисторов не имеющих внутреннего диода. Щн (диод) вносит свои коррективы.

Я также задавался этим вопросом, аналогично наткнувшись на рекомендации рассматривать конкретную схему. Отчасти это правильно, поскольку при неизвестных энергетических характеристиках драйвера(ов), тем более отсутствии схемы управления, сами по себе параметры транзистора из даташита - это лишь часть уравнения.

Так, если в управлении силовой частью (мост, полумост, etc.) используются законченные м/с драйверов (без трансформаторных развязок и прочих ухищрений), то можно поверить осциллограммам и характеристикам их даташита, приведённым для конкретной нагрузки: времени "вкл/выкл" (простите, утрирую), графикам "rise / fall / delay... time vs voltage / capacitance / temperature..." и т.д. Например, производители 6-ти амперного драйвера MAX4429 обещают за 25-60нс разрядить ёмкость затвора в 2500 пФ. Опять же, при конкретных условиях. А вот напряжение затвор-исток, мощность управления затвором, ток - всё это параметры конкретной схемы. Для бутстрепных драйверов аналогичной мощности это время будет на порядок больше. Например, по памяти, у микросхем IR2110 (2-3А) уйдёт 100-150нс на гораздо меньшую ёмкость в 1000пФ.

Если же драйверы выполнены на дискретных компонентах - знать их быстродействие в связке с конкретным транзистором может, пожалуй, только производитель. Иначе придётся проделать небольшую научно-исследовательскую работу по оценке эффективности неизвестной схемы управления. Поэтому приходится довольствоваться приведёнными в даташите на транзистор скоростными (но не частотными) характеристиками, снятыми производителем при конкретных параметрах испытательной схемы.

Но ведь к счастью, в большинстве силовых импульсных источников рабочие частоты переключения колеблются в пределах 10-100кГц, что позволяет выбирать транзисторы на замену ориентируясь по мощности, напряжению и паразитным емкостям из даташитов. И стоимости. Например, вот начало моего списка 500-вольтовых c каналом N-типа в порядке роста стоимости. Ведь нередко приходится выбирать в ущерб всем остальным параметрам.

Транзистор полевой IRF840A
TO220(500V; 8A; 0.85 Ohm; 125W; 1018pF)
Транзистор полевой STP9NK50Z
TO220(N; 500V; 7.2A; 110W; 0.85 Ohm) аналог IRF840
Транзистор полевой BUZ91
TO220(N; 600V; 8.5A; 150W; 0.8 Ohm; 1400pF)
Транзистор полевой STP14NK60Z
TO220(N; 600V; 13.5A; 160W; 0.5 Ohm) 2200pF
Транзистор полевой IRFB11N50A
TO220(N; 500V; 11A; 170W; 0.52 Ohm) 1423 pF
Транзистор полевой PHP8N50E
TO220(N; 550V; 17A; 139W; 0.199 Ohm) 1800 pF
Транзистор полевой IRFP450
TO247(N; 500V; 14A; 190W; 0.4 Ohm) 2600 pF
Транзистор полевой STP14NK60Z
TO220(N; 600V; 13.5A; 160W; 0.5 Ohm) 2200pF
Транзистор полевой SPP11N80C3
TO220(N; 800V; 11A; 156W; 0.45 Ohm) 1600pF
Транзистор полевой IRFP460
TO247(N; 500V; 20A; 280W; 0.27 Ohm) 4200pF
Транзистор полевой STW14NK50Z
TO247(N; 500V; 14A; 150W; 0.38 Ohm) 2000pF
Транзистор полевой G30N60A4D
TO247(IGBT; N; 600V; 75A; 463W; diode)(=HGTG30N60A4D) 1500pF
Транзистор полевой IRGP50B60PD1
TO247(IGBT; N; 600V; 75A; 370W; 61 mOhm; Uce=2.0V) 3648 pF
Транзистор полевой IRGP20B60PD
TO247(IGBT; N; 600V; 40A; 220W; 150KHz; 0.158 Ohm; Usat=2.05V)

При изучении вопроса управления мощными IGBT модулями, в частности семикроновскими SKM151 и SKM200, наткнулся вот на это эссе, полное драматизма Драйвер и приёмка «5»: всё ли так просто? Мне понравились эти 10 страниц инженерной лирики. Возможно, кому-то также будет интересно заглянуть за ширму военной приёмки.