На мой взгляд, самая лучшая схема - такая:

Диод - это внутренний диод P-канального транзистора. Если такую схему включить в минусовой провод, то понадибится N-канальный танзистор. Тоже одна деталь (по сравнению с диодом), ничего не потребляет, но при правильном выборе транзистора можно обеспечить прямое падение напряжения десятки мВ (у диода - сотни мВ) при амперных токах.

Хорошая идея. Только никак понять не могу, каким же образом транзистор будет открыт при закрывающей напруге на затворе?

Цитата:

Сообщение от рафаил

Хорошая идея. Только никак понять не могу, каким же образом транзистор будет открыт при закрывающей напруге на затворе?

Нет, напряжение-то открывающее...
Тут другой нюанс: небольшое обратное напряжение сток-исток.
Дело в том, что графики зависимости тока стока от напряжения сток-исток при разных напряжениях затвор-исток не обрываются в нуле, а продолжаются дальше, с тем же наклоном, до тех пор, пока не начнёт открываться переход канал-подложка (собственно тот самый диод, который присутствует во всех полевиках). Другими словами, транзисторы хорошо себя ведут при малых напряжениях сток-исток, независимо от полярности (по сути - как некое сопротивление). Поэтому выбор транзистора сводится к подбору приемлемого напряжения сток-исток, при нужном токе нагрузки и напряжении затвор-исток. Примерно так, как на рисунке...

Тады ой. Раз у новых есть работа и при отриц. напряжении на затворе. Надо мне почитать про современные углублённо. На старом багаже знаний не всё обьясняется.

Цитата:

Сообщение от рафаил

....Раз у новых есть работа и при отриц. напряжении на затворе. ....

Может Вы не обратили внимания, но нарисован P-канальный транзистор. Открывающее напряжение на затворе - отрицательное, относительно истока. Обычный MOSFET. Ничего нового...

пожалуйста ,где можно в Омске купить L6219DSA