Цитата:

Обеспечение стабильной работы параллельно включенных нитрид-галлиевых транзисторов (GaN FET) в мощных мостовых преобразователях с жесткими переключениями представляет собой достаточно сложную задачу, особенно если речь идет о выводных корпусных исполнениях. Из-за высокой скорости переключения dv/dt, di/dt, больших динамических токов и значительной коммутируемой мощности дисбаланс между параллельно включенными GaN-транзисторами оказывается потенциально больше, чем в случае с кремниевыми (Si) МОП-транзисторами.

Подробнее: Использование ферритовых фильтров и помехоподавляющих RC-цепочек при параллельном включении GaN-транзисторов в мощных преобразователях

Практически не видно схем на черном фоне.

Спасибо, заменили рисунки