|
Специалист
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,656
Репутация: 267
 |
Цитата:
Обеспечение стабильной работы параллельно включенных нитрид-галлиевых транзисторов (GaN FET) в мощных мостовых преобразователях с жесткими переключениями представляет собой достаточно сложную задачу, особенно если речь идет о выводных корпусных исполнениях. Из-за высокой скорости переключения dv/dt, di/dt, больших динамических токов и значительной коммутируемой мощности дисбаланс между параллельно включенными GaN-транзисторами оказывается потенциально больше, чем в случае с кремниевыми (Si) МОП-транзисторами.
|
||
|
Оценка
|
|
Реле, применяемые в потребительской электронике, должны отличаться хорошим соотношением «цена/качество», надежностью, удобством обслуживания, соответствующей сертификацией и другими эксплуатационными характеристиками. Компания Hongfa предлагает продукцию, которая подходит под эти требования и может использоваться практически во всех функциональных узлах бытовых приборов. В качестве примера рассмотрим автоматизацию электрического нагрева воды в бытовом бойлере.
 |
|
Новичок
Регистрация: 05.05.2007
Сообщений: 11
Репутация: 14
|
Практически не видно схем на черном фоне.
|
||
|
Оценка
|
|
Современная силовая электроника все активнее переходит на компоненты, выполненные на основе карбида кремния. Одним из наиболее заметных примеров стали SiC-диоды Шоттки, которые все чаще рассматриваются как альтернатива проверенным временем кремниевым диодам с быстрым восстановлением (FRED). Но смогут ли SiC SBD их полностью вытеснить в ближайшие годы?
|
| Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |
Версия для печати
Отправить по электронной почте
