.. переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. DPAK предназначен для поверхностного монтажа с использованием методов парофазной, инфракрасной или волновой пайки. ...
.. 500 В, 2,2 Ом тип., 3 A SuperMESH Power MOSFET в корпусах IPAK и DPAK Эти высоковольтные устройства представляют собой N-канальные силовые МОП-транзисторы с защитой Зенера, ...
.. 500 В, 2,2 Ом тип., 3 A SuperMESH Power MOSFET в корпусах IPAK и DPAK Эти высоковольтные устройства представляют собой N-канальные силовые МОП-транзисторы с защитой Зенера, ...
.. обеспечивает обратную связь по току во время включения MOSFET Q 1 . Q 1 и Q 2 представляют собой устройства в корпусах Dpak с низкими зарядами затворов и низкими сопротивлениями в открытом состоянии, уменьшающими общие коммутационные ...
.. current transformer from Pulse Engineering, provides current feedback during MOSFET Q 1 ’s on-time. Q 1 and Q 2 are Dpak devices, which have low gate-charge requirements and low on-resistances to minimize total switching losses at the ...
