Публикации: SKM 100 G4-A1 - 2

11. SKM100GB125DN PBF — Datasheet Semikron -
    Datasheets
    Datasheet Semikron SKM100GB125DN PBF Модули IGBTSMK Semikron Inc.
    15 апреля 2008

12. SKM100GB128DN — Datasheet Semikron -
    Datasheets
    Datasheet Semikron SKM100GB128DN Модули IGBTSMK Semikron Inc.
    15 апреля 2008

13. SKM100GB123D — Datasheet Semikron -
    Datasheets
    Datasheet Semikron SKM100GB123D Модули IGBTSMK Semikron Inc.
    15 апреля 2008
14. SKM111AR — Datasheet Semikron -
    Datasheets
    

    .. Производитель: Semikron Описание: Полевой транзистор, N, SEMITRANS Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SKM 111AR MOSFET,TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units Inverse diode SEMITRANSTM M1 Power ...
    .. Conditions Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 200 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On State Resistance: 7 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий диапазон температрур: ...
    15 апреля 2008
15. SKM200GB123D — Datasheet Semikron -
    Datasheets
    

    .. Diameter: 6.4 мм Power Dissipation Pd: 1.38 кВт Power Dissipation Ptot Max: 1.38 кВт Pulsed Current Icm: 400 А Rise Time: 100 нс Voltage Vces: 1.2 кВ RoHS: есть
    15 апреля 2008
16. SKM100GB12V — Datasheet Semikron -
    Datasheets
    

    Наименование модели: SKM100GB12V Производитель: Semikron Описание: Transistor Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 155 А Collector Emitter Voltage, Vces: 1200 В Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 0.94 В Количество выводов: 7 ...
    28 октября 2010
17. Усовершенствованный изолированный импульсный драйвер МОП-транзисторов
    Jaime Castelló José María Espí Rafael García-Gil
    Схемы Питание STMicroelectronics BUZ71, BUZ171
    .. и не нуждается в плавающих источниках питания. Она может передавать импульсы с коэффициентами заполнения, приближающимися к 100%. Рисунок 1. Этот изолированный импульсный драйвер может передавать сигналы с любыми коэффициентами заполнения даже ...

    Isolated FET pulse driver increases power rate and duty cycle

    Jaime Castelló José María Espí Rafael García-Gil

    .. circuit provides full galvanic isolation and requires no floating power supplies; it can transmit duty cycles that approach 100%. Figure 1. This isolated pulse driver can transmit all duty cycles, even with high-power MOSFET/IGBT modules that ...

    3 марта 2022
18. SKM100GB176D — Datasheet Semikron -
    Datasheets
    

    .. Ic Continuous b Max: 90 А Current Temperature: 25°C Fixing Centres: 80 мм Fixing Hole Diameter: 6.4 мм Pulsed Current Icm: 100 А Rise Time: 140 нс SMD Marking: SEMITRANS 2 Voltage: 1700 В Voltage Vces: 1700 В RoHS: есть
    13 февраля 2011
19. SKM50GB123D — Datasheet Semikron -
    Datasheets
    

    .. 310 ­ 40 . . .+150 (125) 2 500 Class F 40/125/56 50 / 40 100 / 80 550 1500 Units V V A A V W °C V SEMITRANS® M IGBT Modules SKM 50 GB 123 D SKM 50 GAL 123 D Спецификации: Полярность транзистора: N Channel DC Collector Current: 50 А Collector ...
    .. °C Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms tp = 10 ms; sin.; Tj = 150 °C tp = 10 ms; Tj = 150 °C Values .. 123 D 1200 1200 50 / 40 100 / 80 ± 20 310 ­ 40 . . .+150 (125) 2 500 Class F 40/125/56 50 / 40 100 / 80 550 1500 Units V V A A V W °C V ...
    14 февраля 2011
20. SKM50GB063D — Datasheet Semikron -
    Datasheets
    

    .. °C 200 -40 .. 125 2500 A °C V IFRM = 2xIFnom tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C -40 .. 150 Tc = 25 °C Tc = 80 °C 75 45 50 100 A A A A A °C Tj = 125 °C Tj = 25 °C Tj = 150 °C Tc = 25 °C Tc = 75 °C 600 70 51 50 100 -20 .. 20 10 -55 .. 150 V ...
    14 февраля 2011

Сортировать по: релевантность / дата