.. voltage DC current gain, hFE > 100 3 A continuous collector current 40 V breakdown voltage V(BR)CER Surface mounting DPAK (TO-252) power package in tape and reel packing 3 1 Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter ...
.. модели: BULD1101ET4 Производитель: STMicroelectronics Описание: Транзистор, NPN, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BULD1101E High voltage fast-switching NPN Power Transistor ...
.. длина / высота: 2.55 мм Внешняя ширина: 6.8 мм Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 9.5 Вт Pulse Current Idm: 35 А Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В Voltage ...
.. ширина: 6.8 мм Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 On State Resistance Max: 55 МОм Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 4.3 Вт Power Disspation Pd for 50mm sq PCB: 4.3 Вт Pulse Current Idm: 37.5 А SMD Marking: ...
.. транзистор, N, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ZXMN6A09K 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK SUMMARY V(BR)DSS =60V : RDS(on)=0.045 ; ID=11.2A DESCRIPTION This new generation of Trench MOSFETs from Zetex ...
.. No SVHC (19-Dec-2011) Альтернативный тип корпуса: TO-252 Current Id Max: 3.9 А On State Resistance Max: 1.2 Ом Тип корпуса: DPAK Pulse Current Idm: 11.7 А Способ монтажа: SMD Voltage Vds Typ: 600 В Voltage Vgs Max: 30 В Voltage Vgs Rds on ...
.. N Channel Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Рассеиваемая мощность: 54 Вт Способ монтажа: SMD Тип корпуса: DPAK RoHS: Y-Ex SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
.. N Channel Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Рассеиваемая мощность: 83 Вт Способ монтажа: SMD Тип корпуса: DPAK RoHS: Y-Ex SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
