.. D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MJD122 (NPN) MJD127 (PNP) Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. ...
.. tf: 10.9 нс Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 On State Resistance Max: 50 МОм Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 9.5 Вт Power Disspation Pd for 50mm sq PCB: 4.2 Вт Pulse Current Idm: 35.3 А Reverse ...
Наименование модели: AUIRFR4620 Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N CH, 200 В, 24 А, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: AUTOMOTIVE GRADE PD - 97681 AUIRFR4620 Features HEXFET® Power MOSFET ...
.. Current Id Max: 89 А Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.4°C/W On State resistance @ Vgs = 10V: 9 МОм Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 115 Вт Pulse Current Idm: 363 А Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Voltage ...
.. Current Id Max: 44 А Тепловое сопротивление переход-корпус: 2°C/W On State resistance @ Vgs = 10V: 16 МОм Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 62 Вт Pulse Current Idm: 196 А Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В Voltage ...
Наименование модели: IRLR8103V Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD-94021A IRLR8103V · · · · · N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core ...
Наименование модели: IRFR9024N Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, P D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 9.1506 PRELIMINARY l l l l l l l IRFR/U9024N HEXFET® Power MOSFET Данные для ...