Публикации: маркировка SMD транзисторов - 5

41. MMBTA13 — Datasheet Fairchild -
    Datasheets
    

    .. Voltage Vces: 1.5 В Ток коллектора постоянный максимальный: 300 мА Current Ic Continuous a Max: 1.2 А DC Current Gain: 10 А Маркировка: MMBTA13 External Depth: 2.5 мм Внешняя длина / высота: 1.12 мм Внешняя ширина: 3.05 мм Частота ...
    .. МГц DC Current Gain Min: 10000 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 350 мВт SMD Marking: 1M Способ монтажа: SMD Тип транзистора: Darlington Обратный ток перехода база-коллектор: 30 В RoHS: есть
    15 марта 2011

Купить маркировка SMD транзисторов на РадиоЛоцман.Цены 493.88
Триема Россия	BC847C (маркировка BC547C) SOT-23 Fairchild транзистор	647 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	BC860C.215, Транзистор, PNP, - 45В, - 100мА, 0.25Вт, (маркировка 4Gp, 4Gt, 4GW), [SOT-23]	по запросу	Купить

42. BC817-25 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. 3 Collector Emitter Voltage Vces: 700 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА Current Ic Continuous a Max: 500 мА Маркировка: BC817-25 Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц Частота единичного усиления типовая: 200 ...
    .. 200 МГц DC Current Gain Min: 160 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт SMD Marking: 6B Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ...
    19 марта 2011

43. BC817-40 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. 3 Collector Emitter Voltage Vces: 700 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА Current Ic Continuous a Max: 500 мА Маркировка: BC817-40 Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц Частота единичного усиления типовая: 200 ...
    .. 200 МГц DC Current Gain Min: 250 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт SMD Marking: 6C Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ...
    19 марта 2011
44. BC817-40.215 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. Collector Emitter Voltage Vces: 700 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА Current Ic Continuous a Max: 500 мА Маркировка: BC817-40 Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц Частота единичного усиления типовая: 200 ...
    .. 1 Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт Количество приборов в упаковке (ленте): 3000 SMD Marking: 6C Ширина ленты: 8 мм Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В RoHS: есть
    19 марта 2011
45. BC849C — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. Vces: 250 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА Current Ic Continuous a Max: 100 мА DC Current Gain: 2 мА Маркировка: BC849C Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц DC Current Gain Min: 420 Количество ...
    .. транзисторов: 1 Коэффициент шума максимальный: 4 дБ Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт SMD Marking: 2C Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 30 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ...
    19 марта 2011
46. BC850B — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. Vces: 250 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА Current Ic Continuous a Max: 100 мА DC Current Gain: 2 мА Маркировка: BC850B Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц DC Current Gain Min: 200 Количество ...
    .. транзисторов: 1 Коэффициент шума максимальный: 4 дБ Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт SMD Marking: 2F Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ...
    19 марта 2011
47. BC850C — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. Vces: 250 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА Current Ic Continuous a Max: 100 мА DC Current Gain: 2 мА Маркировка: BC850C Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц DC Current Gain Min: 420 Количество ...
    .. транзисторов: 1 Коэффициент шума максимальный: 3 дБ Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт SMD Marking: 2 г Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ...
    19 марта 2011
48. BCV47 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. Vces: 1 В Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА Current Ic Continuous a Max: 500 мА DC Current Gain: 100 мА Маркировка: BCV47 External Depth: 2.5 мм Внешняя длина / высота: 1.12 мм Внешняя ширина: 3.05 мм DC Current Gain ...
    .. мм DC Current Gain Min: 10000 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт SMD Marking: FG* Способ монтажа: SMD Тип транзистора: Darlington Обратный ток перехода база-коллектор: 80 В RoHS: есть ...
    19 марта 2011
49. BCW60B — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. Vces: 350 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА Current Ic Continuous a Max: 100 мА DC Current Gain: 2 мА Маркировка: BCW60B Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц DC Current Gain Min: 180 Количество ...
    .. 100 МГц DC Current Gain Min: 180 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт SMD Marking: AB Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 32 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ...
    19 марта 2011
50. BCW71 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. Vces: 250 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА Current Ic Continuous a Max: 100 мА DC Current Gain: 2 мА Маркировка: BCW71 Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц DC Current Gain Min: 110 Количество ...
    .. транзисторов: 1 Коэффициент шума максимальный: 10 дБ Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт SMD Marking: K1 Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ...
    19 марта 2011

Сортировать по: релевантность / дата