Публикации: DPAK - 6

51. STGD10NC60KDT4 — Datasheet STMicroelectronics -
    Datasheets
    

    Наименование модели: STGD10NC60KDT4 Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, D-PAK Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: IGBT Max Voltage Vce Sat: 2 В Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В Корпус транзистора: D-PAK ...
    24 сентября 2010

52. MJD50T4G — Datasheet ON Semiconductor -
    Datasheets
    

    Наименование модели: MJD50T4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Биполярный транзистор, NPN, 400 В D-PAK Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В Transition Frequency Typ ft: 10 МГц Power ...
    21 марта 2011

53. IRGR3B60KD2PBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    

    Наименование модели: IRGR3B60KD2PBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, 600V, 7.8A, D-PAK Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: IGBT Max Voltage Vce Sat: 2.4 В Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В Корпус ...
    28 сентября 2010
54. MJD127T4G — Datasheet ON Semiconductor -
    Datasheets
    Наименование модели: MJD127T4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -100 В, D-PAK Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В Transition ...
    21 марта 2011
55. IRG4RC10UPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    

    Наименование модели: IRG4RC10UPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, 600V, 8.5A, D-PAK Скачать Data Sheet Данные для моделирования Спецификации: Тип транзистора: IGBT Max Voltage Vce Sat: 2.6 В Collector-to-Emitter Breakdown ...
    28 сентября 2010
56. IRG4RC10UDPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    

    Наименование модели: IRG4RC10UDPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, D-PAK Скачать Data Sheet Данные для моделирования Спецификации: Тип транзистора: IGBT Max Voltage Vce Sat: 2.6 В Max Power Dissipation: 38 Вт ...
    28 сентября 2010
57. IRG4RC20FPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    

    Наименование модели: IRG4RC20FPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, D-PAK Скачать Data Sheet Данные для моделирования Спецификации: Тип транзистора: IGBT Max Voltage Vce Sat: 2.1 В Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В ...
    28 сентября 2010
58. IRG4RC10SDPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    

    Наименование модели: IRG4RC10SDPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, D-PAK 600 В 14 А Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95192A IRG4RC10SDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY ...
    30 сентября 2010
59. IRG4RC10UDTRLP — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    

    Наименование модели: IRG4RC10UDTRLP Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, COPAK, D-PAK Скачать Data Sheet Данные для моделирования Спецификации: Тип транзистора: IGBT Max Voltage Vce Sat: 2.15 В Max Power Dissipation: 38 Вт ...
    30 сентября 2010
60. MJD45H11-1G — Datasheet ON Semiconductor -
    Datasheets
    Наименование модели: MJD45H11-1G Производитель: ON Semiconductor Описание: Мощность транзистор, PNP, -80 В, D-PAK Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В Transition Frequency ...
    21 марта 2011

Сортировать по: релевантность / дата