Публикации: kv - 6

51. TS431ILT — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets
    Регулируемая ИС опорного напряжения шунта (автомобильная для SOT23-5) Все функции Квалификация AEC-Q100 (SOT23-5) Работа при низком напряжении: от 1,24 до 6 В Точность напряжения 2%, 1% и 0,5% Катодный ток в широком рабочем диапазоне: от 60 мкА до ...
    16 августа 2022

52. TS431IYLT — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets
    Регулируемая ИС опорного напряжения шунта (автомобильная для SOT23-5) Все функции Квалификация AEC-Q100 (SOT23-5) Работа при низком напряжении: от 1,24 до 6 В Точность напряжения 2%, 1% и 0,5% Катодный ток в широком рабочем диапазоне: от 60 мкА до ...
    16 августа 2022

53. TS431IZ-AP — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets
    Регулируемая ИС опорного напряжения шунта (автомобильная для SOT23-5) Все функции Квалификация AEC-Q100 (SOT23-5) Работа при низком напряжении: от 1,24 до 6 В Точность напряжения 2%, 1% и 0,5% Катодный ток в широком рабочем диапазоне: от 60 мкА до ...
    16 августа 2022
54. TS431IZT — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets
    Регулируемая ИС опорного напряжения шунта (автомобильная для SOT23-5) Все функции Квалификация AEC-Q100 (SOT23-5) Работа при низком напряжении: от 1,24 до 6 В Точность напряжения 2%, 1% и 0,5% Катодный ток в широком рабочем диапазоне: от 60 мкА до ...
    16 августа 2022
55. TS431 — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets
    Регулируемая ИС опорного напряжения шунта (автомобильная для SOT23-5) Все функции Квалификация AEC-Q100 (SOT23-5) Работа при низком напряжении: от 1,24 до 6 В Точность напряжения 2%, 1% и 0,5% Катодный ток в широком рабочем диапазоне: от 60 мкА до ...
    16 августа 2022
56. Контроллер резонансного преобразователя на основе одной микросхемы и ждущего мультивибратора
    C Rajan
    Схемы Аналоговая схемотехника Texas Instruments CD4098B, UC1864J, UC3842N, UC3843N · Генераторы Texas Instruments
    Резонансные источники питания популярны из-за высокого КПД, низкого уровня помех и компактности. Реализовать резонансный понижающий или повышающий преобразователь можно с помощью одного коммутатора. Стабилизация выходного напряжения в таком ...

    Controller IC and One-Shot Form Resonant Controller

    C Rajan

    .. The voltage at the RT/CT pin gives a clear view of how the circuit modifies the ramp. This control circuit generates a 2-kV, 5-mA dc power supply using a resonant flyback scheme, and it performs well. Materials on the topic Datasheet Texas ...

    8 августа 2022
57. Чем можно заменить конденсатор 102K 1KV?
    Форум Питание
    Добрый день! В блоке питания монитора пищит конденсатор 102K 1KV? Можно ли его заменить на 3C 3KV, 12J 6KV или 222K 1KV? Спасибо! Конденсатор - сомнительно. Обычно пищат моточные изделия - трансформатор и дроссели .. это точно он пищит. но вопрос: ...
    6 апреля 2022
58. SKM 75GB128D — Datasheet Semikron
    Datasheets Semikron SKM 75GB128D
    Модуль IGBT, двойной, SPT, 1200 В, 100 А Технические характеристики: Av ток Ic: 100 А Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 1,2 кВ Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 1,15 В Ток Ic Непрерывный Макс.: 100 А Ток Ic Непрерывный b Макс.: 70 А Текущая ...
    3 марта 2022
59. Способы стабилизации выходного напряжения обратноходовых преобразователей
    Статьи Питание
    Введение Преобразователи с обратным включением диода (Flyback Converters), обычно называемые обратноходовыми , обоснованно входят в число самых распространенных схем, используемых в импульсных источниках питания. Ключевым преимуществом ...

    Primary-Side vs. Secondary-Side Regulation

    .. however; voltage source transformers are normally allowed a maximum leakage of 10 mA and require isolation of at least 3 kV. But leakage between the primary and secondary sides must still be minimized as much as possible. This also includes ...

    21 февраля 2022
60. Двухканальные драйверы затворов компании STMicroelectronics оптимизируют и упрощают управление IGBT и SiC MOSFET
    Новости Драйверы STMicroelectronics STGAP2HD STGAP2SICD
    Два новых двухканальных гальванически изолированных драйвера затворов IGBT и карбидокремниевых (SiC) MOSFET компании STMicroelectronics экономят место на плате и упрощают разработку высоковольтных преобразователей энергии и промышленных приложений. ...

    Dual Gate Drivers from STMicroelectronics Optimize and Simplify SiC and IGBT Switching Circuits

    .. The STGAP2HD for IGBTs and STGAP2SICD for SiC MOSFETs leverage ST’s latest galvanic-isolation technology to provide 6 kV transient-voltage capability in a SO-36W wide-body package. In addition, 100 V/ns dv/dt transient immunity prevents ...

    7 февраля 2022

Сортировать по: релевантность / дата