.. Vces: -300 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА Current Ic Continuous a Max: 100 мА DC Current Gain: 2 мА Маркировка: BC859C Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц DC Current Gain Min: 420 Количество ... .. 100 МГц DC Current Gain Min: 420 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт SMD Marking: 4C Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 30 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ...
.. Vces: -300 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА Current Ic Continuous a Max: 100 мА DC Current Gain: 2 мА Маркировка: BC860C Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц DC Current Gain Min: 420 Количество ... .. транзисторов: 1 Коэффициент шума максимальный: 3 дБ Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт SMD Marking: 4 г Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ...
.. Vces: -300 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА Current Ic Continuous a Max: 100 мА DC Current Gain: 10 мА Маркировка: BCW30 Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц DC Current Gain Min: 215 Количество ... .. транзисторов: 1 Коэффициент шума максимальный: 10 дБ Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт SMD Marking: C2 Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 32 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ...
.. Vces: -620 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА Current Ic Continuous a Max: 500 мА DC Current Gain: 100 мА Маркировка: BCX17 Частота единичного усиления минимальная: 80 МГц DC Current Gain Min: 100 Количество ... .. 80 МГц DC Current Gain Min: 100 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 200 мВт SMD Marking: T1 Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ...
.. Vces: -400 мВ Ток коллектора постоянный максимальный: 600 мА Current Ic Continuous a Max: 600 мА DC Current Gain: 150 мА Маркировка: BT4403 Частота единичного усиления минимальная: 250 МГц DC Current Gain Min: 100 Количество ... .. 250 МГц DC Current Gain Min: 100 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт SMD Marking: 2T Способ монтажа: SMD Обратный ток перехода база-коллектор: 60 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ...
.. транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 150 мкА Current Temperature: 25°C Маркировка: BS170F External Depth: 2.5 мм Внешняя длина / высота: 1.12 мм Внешняя ширина: 3.05 мм Full Power ... .. 1 Тип корпуса: SOT-23 Power Dissipation Pd: 330 мВт Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт Pulse Current Idm: 3 А SMD Marking: мВ Ширина ленты: 8 мм Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Voltage Vds Typ: 60 В Voltage Vgs ... .. Depth: 2.5 мм Внешняя длина / высота: 1.12 мм Внешняя ширина: 3.05 мм Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Power Dissipation Pd: 330 мВт Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт ...
.. транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 150 мА Current Temperature: 25°C Маркировка: VN10LF External Depth: 2.5 мм Внешняя длина / высота: 1.12 мм Внешняя ширина: 3.05 мм Full Power ... .. 1 Тип корпуса: SOT-23 Power Dissipation Pd: 330 мВт Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт Pulse Current Idm: 3 А SMD Marking: MY Ширина ленты: 8 мм Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В Voltage Vds Typ: 60 В Voltage ... .. Depth: 2.5 мм Внешняя длина / высота: 1.12 мм Внешняя ширина: 3.05 мм Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Power Dissipation Pd: 330 мВт Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт ...
.. транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 100 мА Current Temperature: 25°C Маркировка: ZVN3310F External Depth: 2.5 мм Внешняя длина / высота: 1.12 мм Внешняя ширина: 3.05 мм Full Power ... .. 1 Тип корпуса: SOT-23 Power Dissipation Pd: 330 мВт Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт Pulse Current Idm: 2 А SMD Marking: MF Ширина ленты: 8 мм Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В Voltage Vds Typ: 100 В Voltage ... .. Depth: 2.5 мм Внешняя длина / высота: 1.12 мм Внешняя ширина: 3.05 мм Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Power Dissipation Pd: 330 мВт Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт ...
.. транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 200 мА Current Temperature: 25°C Маркировка: ZVN4106F External Depth: 2.5 мм Внешняя длина / высота: 1.12 мм Внешняя ширина: 3.05 мм Full Power ... .. 1 Тип корпуса: SOT-23 Power Dissipation Pd: 330 мВт Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт Pulse Current Idm: 3 А SMD Marking: MZ Ширина ленты: 8 мм Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Voltage Vds Typ: 60 В Voltage Vgs ... .. Depth: 2.5 мм Внешняя длина / высота: 1.12 мм Внешняя ширина: 3.05 мм Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Power Dissipation Pd: 330 мВт Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт ...
.. транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 900 мА Current Temperature: 25°C Маркировка: ZVP3306F External Depth: 2.5 мм Внешняя длина / высота: 1.12 мм Внешняя ширина: 3.05 мм Full Power ... .. 1 Тип корпуса: SOT-23 Power Dissipation Pd: 330 мВт Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт Pulse Current Idm: 1.6 А SMD Marking: ML Ширина ленты: 8 мм Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: -3.5 В Voltage Vds Typ: -60 В Voltage ... .. Depth: 2.5 мм Внешняя длина / высота: 1.12 мм Внешняя ширина: 3.05 мм Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-23 Power Dissipation Pd: 330 мВт Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт ...
Купить маркировка SMD транзисторов на РадиоЛоцман.Цены
