Публикации: DPAK TO-252 - 7

61. FDD3N40TF — Datasheet Fairchild -
    Datasheets
    

    .. В On Resistance Rds(on): 3.4 Ом Корпус транзистора: TO-252 Количество выводов: 2 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 30 мВт Pulse Current Idm: 8 А Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В Voltage ...
    26 марта 2011

62. FDD3N40TM — Datasheet Fairchild -
    Datasheets
    

    .. В On Resistance Rds(on): 3.4 Ом Корпус транзистора: TO-252 Количество выводов: 2 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 30 мВт Pulse Current Idm: 8 А Способ монтажа: SMD RoHS: есть Дополнительные аксессуары: ...
    26 марта 2011

63. FDD6632 — Datasheet Fairchild -
    Datasheets
    

    .. В On Resistance Rds(on): 58 МОм Корпус транзистора: TO-252 Количество выводов: 2 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 15 мВт Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Voltage Vds Typ: 30 В Voltage Vgs ...
    26 марта 2011
64. FDD6N25TF — Datasheet Fairchild -
    Datasheets
    

    .. В On Resistance Rds(on): 1.1 Ом Корпус транзистора: TO-252 Количество выводов: 2 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 50 мВт Pulse Current Idm: 18 А Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В Voltage ...
    26 марта 2011
65. FDD8580 — Datasheet Fairchild -
    Datasheets
    

    .. Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Альтернативный тип корпуса: TO-252 Current Id Max: 35 А Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 49.5 Вт Pulse Current Idm: 159 А Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В ...
    26 марта 2011
66. FDD8750 — Datasheet Fairchild -
    Datasheets
    

    .. .. +175°C Корпус транзистора: TO-252 Количество выводов: 2 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 6.5 А Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 18 мВт Pulse Current Idm: 14 А Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В Voltage ...
    26 марта 2011
67. SPD02N60S5 — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: D-PAK Количество выводов: 3 Current Id Max: 1.8 А Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 25 Вт Pulse Current Idm: 3.2 А Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В Voltage ...
    .. avalanche rated · Extreme dv/dt rated · Ultra low effective capacitances · Improved transconductance VDS RDS(on) ID PG-TO252 2 3 1 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 1.8 А Drain Source Voltage ...
    28 марта 2011
68. SPD07N60S5 — Datasheet Infineon -
    Datasheets
    

    .. 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 On State Resistance Max: 600 МОм Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 83 Вт Рассеиваемая мощность максимальная: 83 Вт Pulse Current Idm: 14.6 А SMD Marking: ...
    .. Feature · New revolutionary high voltage technology · Worldwide best RDS(on) in TO-251 and TO-252 VDS RDS(on) ID PG-TO252 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 7.3 А Drain Source Voltage Vds: ...
    28 марта 2011
69. BUJD203AD — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: BUJD203AD Производитель: NXP Описание: Транзистор, NPN, 4 А, 850 В, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUJD203AD NPN power transistor with integrated diode Rev. 01 -- ...
    5 марта 2012
70. BUJ302AD — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. модели: BUJ302AD Производитель: NXP Описание: Транзистор, NPN, 4 А, 1050 В, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DP AK BUJ302AD NPN power transistor Rev. 01 -- 28 March 2011 ...
    5 марта 2012

Сортировать по: релевантность / дата