Публикации: Fast 60 - 7

61. IRFZ48VPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    

    .. l l l l l l l l Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Optimized for SMPS Applications Lead-Free HEXFET® Power MOSFET Спецификации: ...
    .. модели: IRFZ48VPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, 72 А, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 94992A IRFZ48VPbF l l l l l l l l Advanced ...
    3 апреля 2011

62. IRFZ48VSPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    

    .. IRFZ48VSPbF Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Optimized for SMPS Applications l Lead-Free Description l HEXFET® Power ...
    .. модели: IRFZ48VSPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, 72 А, D2-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95573 IRFZ48VSPbF Advanced Process Technology l ...
    3 апреля 2011

63. IRFZ44ESPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    .. l l l Advanced Process Technology Surface Mount (IRFZ44ES) Low-profile through-hole (IRFZ44EL) 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free HEXFET® Power MOSFET Спецификации: Полярность транзистора: N Channel ...
    .. модели: IRFZ44ESPBF Производитель: International Rectifier Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 48 А, D2-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95572 IRFZ44ESPbF IRFZ44ELPbF l l l l l l l ...
    3 апреля 2011
64. IRFZ24VSPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    .. 95524 l l l l l l l l Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Optimized for SMPS Applications Lead-Free HEXFET® Power MOSFET D Спецификации: ...
    .. модели: IRFZ24VSPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, 17 А, D2-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95524 l l l l l l l l Advanced Process ...
    3 апреля 2011
65. IRFIZ48VPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    

    .. Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance l Isolated Package l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Optimized for SMPS Applications Description l l Спецификации: Полярность ...
    .. модели: IRFIZ48VPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, 39 А, TO-220FP Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD-94072 IRFIZ48V HEXFET® Power MOSFET Advanced ...
    3 апреля 2011
66. IRFZ34VSPBF — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets
    

    .. PD - 95560A l Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Optimized for SMPS Applications l Lead-Free Description l HEXFET Power MOSFET ...
    .. модели: IRFZ34VSPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, 30 А, D2-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95560A l Advanced Process Technology Ultra Low ...
    3 апреля 2011
67. NTE2984 — Datasheet NTE Electronics -
    Datasheets
    

    .. D Dynamic dv/dt Rating D Logic Level Gate Drive D RDS(on) Specified at VGS = 4V & 5V D +175°C Operating Temperature D Fast Switching D Ease of Paralleling D Simple Drive Requirements Absolute Maximum Ratings: Drain Current, ID ...
    .. модели: NTE2984 Производитель: NTE Electronics Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 17 А, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NTE2984 Logic Level MOSFET N­Channel, Enhancement ...
    4 апреля 2011
68. NTE2996 — Datasheet NTE Electronics -
    Datasheets
    

    .. Mode High Speed Switch Features: D Ultra Low On-Resistance D Dynamic dv/dt Rating D +175°C Operating Temperature D Fast Switching D Fully Avalanche Rated Absolute Maximum Ratings: Drain Current, ID Continuous (VGS = 10V) TC = +25°C ...
    .. модели: NTE2996 Производитель: NTE Electronics Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 84 А, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NTE2996 MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High ...
    4 апреля 2011
69. BSH201,215 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    .. Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode MOS transistor FEATURES · Low threshold voltage · Fast switching · Logic level compatible · Subminiature surface mount package Спецификации: Полярность транзистора: P ...
    .. модели: BSH201,215 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор P-CH 60 В 300 мА SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification ...
    4 апреля 2011
70. NTD5865NLT4G — Datasheet ON Semiconductor -
    Datasheets
    .. Data Sheet Краткое содержание документа: NTD5865NL N- Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 m Features Low Gate Charge Fast Switching High Current Capability 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS ...
    .. модели: NTD5865NLT4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 40 А, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NTD5865NL N- Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 m ...
    6 апреля 2011

Сортировать по: релевантность / дата