Публикации: AO4466_SO8 - 8

71. TSC2010IYDT — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets
    .. 100 В / В Ошибка усиления: не более 0,3% Дрейф смещения: макс. 5 мкВ / ° C Ток покоя: 20 мкА в режиме отключения Пакет SO8 и MiniSO8
    26 февраля 2021

Купить AO4466_SO8 на РадиоЛоцман.Цены — от 4.07 до 1 137 ₽ 69 предложений от 17 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AllElco Electronics Весь мир	AO4466 Youtai	4.07 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	AO4466 Aos	11 ₽	Купить

72. TSC2010IYST — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets
    .. 100 В / В Ошибка усиления: не более 0,3% Дрейф смещения: макс. 5 мкВ / ° C Ток покоя: 20 мкА в режиме отключения Пакет SO8 и MiniSO8
    26 февраля 2021

73. TSC2010 — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets
    .. 100 В / В Ошибка усиления: не более 0,3% Дрейф смещения: макс. 5 мкВ / ° C Ток покоя: 20 мкА в режиме отключения Пакет SO8 и MiniSO8
    26 февраля 2021
74. Новые прецизионные высоковольтные двунаправленные токоизмерительные усилители STMicroelectronics повышают надежность и энергоэффективность
    Новости Усилители Измерения STMicroelectronics TSC2010 TSC2011 TSC2012
    .. любого из трех устройств. Оценочный набор STEVAL-AETKT1V2. TSC2010, TSC2011 и TSC2012 уже можно приобрести в корпусах Mini-SO8 и SO8 по цене от $0.90 за штуку при заказе 1000 микросхем. При заказе такого же количества цены версий для схем ...

    Precision, High-Voltage Bi-directional Current-Sense Amplifiers from STMicroelectronics Boost Robustness and Power Efficiency

    .. any of the three devices. The STEVAL-AETKT1V2 evaluation kit. The TSC2010, TSC2011, and TSC2012 are available now in Mini-SO8 and SO8 packages, priced from $0.90 for orders of 1000 pieces. Automotive-grade devices are priced from $1.08 for ...

    26 февраля 2021
75. Тестовые образцы новых ШИМ-контроллеров доступны для заказа в АО «НИИЭТ»
    Новости Электронные компоненты НИИЭТ 1396ЕУ065 1396ЕУ015 1396ЕУ045
    НИИЭТ разработал новые ШИМ-контроллеры с шифрами 1396ЕУ065, 1396ЕУ015, 1396ЕУ045. Тестовые образцы микросхем стали доступны для опробования всем желающим. Об этом сообщил начальник дизайн-центра проектирования ИМС АО НИИЭТ Владимир Смерек. ...
    29 января 2021
76. IRF7389TRPBF — Datasheet Infineon
    Datasheets Infineon IRF7389TRPBF
    

    Силовой полевой МОП-транзистор с двойным N- и P-каналом на 30 В в корпусе SO-8
    26 января 2021
77. IRF7389 — Datasheet Infineon
    Datasheets Infineon
    Силовой полевой МОП-транзистор с двойным N- и P-каналом на 30 В в корпусе SO-8
    26 января 2021
78. IRF7389PBF — Datasheet Infineon
    Datasheets Infineon IRF7389PBF
    

    Силовой полевой МОП-транзистор с двойным N- и P-каналом на 30 В в корпусе SO-8
    26 января 2021
79. IRF7425TRPBF — Datasheet Infineon
    Datasheets Infineon IRF7425TRPBF
    

    -20 В, одиночный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор на полевых транзисторах в корпусе SO-8
    26 января 2021
80. IRF7425 — Datasheet Infineon
    Datasheets Infineon
    -20 В, одиночный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор на полевых транзисторах в корпусе SO-8
    26 января 2021

Сортировать по: релевантность / дата