.. А Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.21°C/W N-channel Gate Charge: 198nC Тип корпуса: TO-247 Power Dissipation Pd: 714 Вт Способ монтажа: Through Hole Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В Voltage Vds Typ: 100 В Voltage Vgs Rds on ...
Наименование модели: 1N5921BG Производитель: ON Semiconductor Описание: Стабилитрон диод, 3 Вт, 6.8 В, DO-41 Данные для моделирования Спецификации: Zener Voltage Vz Typ: 6.8 В Рассеиваемая мощность: 3 Вт Рабочий диапазон температрур: -65°C .. ...
.. C IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS, TJ 175° C, RG = 4 TC = 25° C Maximum Ratings 150 150 ±20 ±30 150 75 340 60 80 2.5 10 714 -55 .. +175 175 -55 .. +175 300 260 V V V V A A A A mJ J V/ns W °C °C °C °C °C Features Спецификации: Полярность ...
.. 0.5 0.2 0.1 0.04 t 1 /t 2 0.02 0.04 0.08 0.2 0.4 1 к 1 0.0196 0.0385 0.074 0.167 0.286 0.5 к 2 0.9804 0.9615 0.926 0.833 0.714 0.5 Из графиков видно, что изменение коэффициента трансформации дросселя может как улучшить, так и ухудшить ...
.. 170 А Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.21°C/W N-channel Gate Charge: 198nC Тип корпуса: TO-3P Power Dissipation Pd: 714 Вт Способ монтажа: Through Hole Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В Voltage Vds Typ: 100 В Voltage Vgs Rds on ...
.. пФ Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.21°C/W N-channel Gate Charge: 198nC Тип корпуса: TO-264 Power Dissipation Pd: 714 Вт Способ монтажа: Through Hole Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В Тип транзистора: High Performance (HiPerFET) Voltage ...
