В сентябре 2025 года компанией Дизайн Центр Союз были получены опытные образцы датчиков температуры К5306НТ04П/У/Т, К5306НТ04АУ/АТ и К5306НТ04ВУ/ВТ. К5306НТ04П/У/Т Интегральный цифровой датчик температуры промышленного применения с 1-Wire ...
В аэропорту Анадыря на Чукотке установлена инструментальная система посадки ILS 2700 Производственная компания Азимут Госкорпорации Ростех оснастила аэропорт Анадыря на Чукотке инструментальной системой посадки ILS 2700. Оборудование поможет ...
Разработка АО Информационные спутниковые системы имени академика М. Ф. Решетнёва (входит в Роскосмос) обеспечивает устойчивую двухстороннюю передачу данных для абонентов на транспорте. Специалисты компании РЕШЕТНЁВ создали абонентский терминал ...
20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
