Публикации: SOT-363 - 9

81. MUN5211DW1T1G — Datasheet ON Semiconductor -
    Datasheets
    

    Наименование модели: MUN5211DW1T1G Производитель: ON Semiconductor Описание: BRT транзистор, 50 В, 10K/10KOHM, SOT-363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MUN5211DW1T1G Series Preferred Devices Dual Bias Resistor Transistors NPN ...
    11 апреля 2011

82. PBLS1503Y — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    Наименование модели: PBLS1503Y Производитель: NXP Описание: Транзистор, переключатель SOT-363 Скачать Data Sheet Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15 В Корпус транзистора: SOT-363 ...
    11 апреля 2011

83. PUMB20 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    Наименование модели: PUMB20 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество выводов: 6 SVHC: No SVHC ...
    11 апреля 2011
84. PUMB9 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    Наименование модели: PUMB9 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество ...
    11 апреля 2011
85. PUMD17 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    Наименование модели: PUMD17 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN / PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Рабочий диапазон температрур: -65°C .. +150°C Корпус ...
    11 апреля 2011
86. PUMF11 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    Наименование модели: PUMF11 Производитель: NXP Описание: Транзистор, сдвоенный цифровой SOT-363 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество ...
    11 апреля 2011
87. PUMH18 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    Наименование модели: PUMH18 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Рабочий диапазон температрур: -65°C .. +150°C Корпус транзистора: ...
    11 апреля 2011
88. PUMH19 — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    Наименование модели: PUMH19 Производитель: NXP Описание: Транзистор, цифровой, сдвоенный, SOT-363 Спецификации: Полярность транзистора: NPN Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество выводов: 6 Тип корпуса: ...
    12 апреля 2011
89. PBLS4001Y — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    Наименование модели: PBLS4001Y Производитель: NXP Описание: Транзистор, переключатель, SOT-363 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 40 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество ...
    11 апреля 2011
90. PBLS4004Y — Datasheet NXP -
    Datasheets
    

    Наименование модели: PBLS4004Y Производитель: NXP Описание: Транзистор, переключатель, SOT-363 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP / NPN Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 40 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество ...
    11 апреля 2011

Сортировать по: релевантность / дата