Публикации: CANNON 30 3F - 10

91. Батареи нового типа позволят ноутбукам работать 30 лет без подзарядки
    Новости Питание
    .. ВВС США (U.S. Air Force Research Laboratory). На разрабатываемой ими батарее ноутбук сможет функционировать целых 30 лет. Так называемая бета-гальваническая (betavoltaic) батарея генерирует энергию следующим образом. Радиоизотоп, ...

    Scientists Invent 30 Year Continuous Power Laptop Battery

    .. next laptop could have a continuous power battery that lasts for 30 years without a single recharge thanks to work being funded by the U.S. Air Force Research Laboratory. The ...

    07-10-2007

Купить cannon303f на РадиоЛоцман.Цены
T-electron Россия и страны СНГ	CANNON303F	9 947 ₽	Купить

92. PMN20EN — Datasheet NXP -
    Datasheets NXP PMN20EN
    

    .. модели: PMN20EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.7 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 57 PMN20EN 30 V, 6.7 A N-channel Trench ...
    01-03-2012

93. PMN25EN — Datasheet NXP -
    Datasheets NXP PMN25EN
    

    .. модели: PMN25EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.2 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 57 PMN25EN 30 V, 6.2 A N-channel Trench ...
    01-03-2012
94. PMN35EN — Datasheet NXP -
    Datasheets NXP PMN35EN
    

    .. модели: PMN35EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 5.1 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 57 PMN35EN 30 V, 5.1 A N-channel Trench ...
    01-03-2012
95. PMT21EN — Datasheet NXP -
    Datasheets NXP PMT21EN
    

    .. модели: PMT21EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 7.4 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T2 PMT21EN 30 V, 7.4 A N-channel Trench MOSFET ...
    01-03-2012
96. BSH203 — Datasheet NXP -
    Datasheets NXP BSH203
    

    .. модели: BSH203 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 0.47 А, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification ...
    01-03-2012
97. NX3008NBK — Datasheet NXP -
    Datasheets NXP NX3008NBK
    

    .. модели: NX3008NBK Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 400 мА, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T2 NX3008NBK 30 V, 400 mA N-channel Trench ...
    01-03-2012
98. NX3008NBKS — Datasheet NXP -
    Datasheets NXP NX3008NBKS
    

    .. модели: NX3008NBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NX3008NBKS 30 V, 350 mA dual N-channel Trench ...
    01-03-2012
99. NX3008NBKT — Datasheet NXP -
    Datasheets NXP NX3008NBKT
    

    .. модели: NX3008NBKT Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT416 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 16 NX3008NBKT 30 V, 350 mA N-channel Trench ...
    01-03-2012
100. NX3008NBKV — Datasheet NXP -
     Datasheets NXP NX3008NBKV
     

     .. модели: NX3008NBKV Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 400 мА, SOT666 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T6 NX3008NBKV 30 V, 400 mA dual N-channel ...
     01-03-2012

Сортировать по: релевантность / дата