Публикации: IRFR9310

1. Усовершенствованный выключатель питания с фиксацией. Часть 2 - Улучшенный вариант
   Схемы Питание Texas Instruments LM393, TLC393
   .. напряжение затвор-исток значительно ниже номинального напряжения сток-исток. Например, у такого транзистора, как IRFR9310, максимальное напряжение сток-исток составляет 400 В, а напряжение затвор-исток ограничено значением ...

   A new and improved latching power switch. Part 2

   .. have a maximum gate-source voltage limit much lower than the drain-source voltage rating. For example, a device like the IRFR9310 has a maximum drain-source voltage rating of 400 V, and yet the gate-source voltage is limited to just 20 ...

   5 апреля 2024

Купить IRFR9310 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.73 до 171 ₽ 294 предложений от 34 поставщиков Транзистор полевой P-канальный (Vds=-400V, Id=-1.8A@T=25C, Id=-1.1A@T=100C, Rds=0,7.0 R, P=50W, -55 to +150C).
AiPCBA Весь мир	IRFR9310PBF Vishay	9.73 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRFR9310PBF	от 16 ₽	Купить

2. Усовершенствованный выключатель питания с фиксацией. Часть 1 - Первый вариант
   Anthony Smith
   Схемы Питание Texas Instruments LM393, TLC393
   .. по теме Datasheet Texas Instruments LM393 Datasheet Texas Instruments TLC393 Datasheet Fairchild FDS6675A Datasheet Vishay IRFR9310

   A new and improved latching power switch. Part 1

   Anthony Smith

   .. topic Datasheet Texas Instruments LM393 Datasheet Texas Instruments TLC393 Datasheet Fairchild FDS6675A Datasheet Vishay IRFR9310

   28 марта 2024

3. IRFR9310TRLPbF — Datasheet Vishay
   Datasheets
   Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
   28 марта 2024
4. IRFR9310PbF — Datasheet Vishay
   Datasheets
   Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
   28 марта 2024
5. IRFR9310TRLPbF-BE3 — Datasheet Vishay
   Datasheets
   Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
   28 марта 2024
6. IRFR9310TRPbF — Datasheet Vishay
   Datasheets
   Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
   28 марта 2024
7. IRFR9310TRRPbF — Datasheet Vishay
   Datasheets
   Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
   28 марта 2024
8. IRFR9310 — Datasheet Vishay
   Datasheets
   Силовой MOSFET В силовых МОП-транзисторах третьего поколения от Vishay используются передовые технологии обработки для достижения низкого сопротивления в открытом состоянии на площадь кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью ...
   28 марта 2024
9. Наследие IR: мощные МОП-транзисторы HEXFET
   Статьи Питание Vishay
   .. - - - SOT-223 IRFL210 IRFL214 - - - - - - 400...450 D2-PAK IRF710S IRF720S IRF730S IRF740S - - - - D-PAK - IRFR310 IRFR320 IRFR9310 - - - - - 500...550 D2-PAK - IRF820S IRF830S IRF840S IRFS11N50A - - - D-PAK - IRFR420 IRFR420А IRFR430A - ...
   28 сентября 2008
10. IRFR9310TR — Datasheet International Rectifier -
    Datasheets International Rectifier IRFR9310TR
    Datasheet International Rectifier IRFR9310TR Силовые полевые транзисторы (MOSFET) IR International Rectifier Ltd.
    9 декабря 2007

Сортировать по: релевантность / дата