Наименование модели: SI3458BDV-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: N CH полевой транзистор Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 3.2 А Drain Source Voltage Vds: 60 В On Resistance Rds(on): 82 МОм Rds(on) ...
.. шунтирующего транзистора (внизу). В обоих случаях выходная емкость равнялась 10 нФ. Шунтирующий MOSFET транзистор типа Si3458 . При шунтировании тока светодиодов, управляемых преобразователями со стабилизаций тока, надо учитывать ...
.. function pin vs. the shunt FET. The output capacitance used in both of these measurements is 10 nF and the shunt FET is a Si3458 . a) b) Figure 4. Fast PWM Dimming. Circuit (a) and PWM Waveforms (b). Caution should be used with shunting ...