Гальванически развязанный драйвер двойного затвора на 4 А Все функции Рельс высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 A сток/источник при 25 °C Устойчивость к переходным процессам dV/dt ±100 В/нс Общая задержка распространения ...
.. и упрощают разработку высоковольтных преобразователей энергии и промышленных приложений. В микросхемах STGAP2HD для IGBT и STGAP2SICD для SiC MOSFET, выпускаемых в широком корпусе SO-36W, используется новейшая технология гальванической ...
.. save space and ease circuit design in high-voltage power-conversion and industrial applications. The STGAP2HD for IGBTs and STGAP2SICD for SiC MOSFETs leverage ST’s latest galvanic-isolation technology to provide 6 kV ...
Гальванически развязанный драйвер двойного затвора на 4 А Все функции Рельс высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 A сток/источник при 25 °C Устойчивость к переходным процессам dV/dt ±100 В/нс Общая задержка распространения ...
Гальванически развязанный драйвер двойного затвора на 4 А Все функции Рельс высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 A сток/источник при 25 °C Устойчивость к переходным процессам dV/dt ±100 В/нс Общая задержка распространения ...
