N-канальный 60 В (DS) МОП-транзистор Мощный МОП-транзистор TrenchFET® Gen IV Очень низкий RDS - показатель качества Qg (FOM) Настроен на самый низкий RDS - Qoss FOM
.. затворов, имеет максимальное сопротивление открытого канала, сниженное до 4 мОм при напряжении затвора 10 В. Транзистор SiSS22DN , разработанный подразделением Vishay Siliconix для повышения КПД и плотности мощности импульсных ...
.. 1212-8S package. Designed to increase efficiency and power density in switching topologies, the Vishay Siliconix SiSS22DN features a low gate charge of 22.5 nC along with low output charge (Q OSS ). Unlike logic-level 60 V ...
N-канальный 60 В (DS) МОП-транзистор Мощный МОП-транзистор TrenchFET® Gen IV Очень низкий RDS - показатель качества Qg (FOM) Настроен на самый низкий RDS - Qoss FOM
14 августа 2019
Поиск "SISS22DN" в других поисковых системах: DataSheet.ru