HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Публикации: r 65 rd 55 bc - 10

Поиск по: "r 65 rd 55 bc"
Найдено: 52,114 Вывод: 91-100   В том числе: 55 (40290); 65 (12124); bc (1716); rd (0).
  1. Datasheet IRLR3105PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 55 В, 25 А, D-PAK
    .. SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Альтернативный тип корпуса: D-PAK Current Id Max: 25 А Тепловое сопротивление переход-корпус: 2.65°C/W On State resistance @ Vgs = 10V: 37 МОм Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 57 Вт Pulse Current Idm: 100 А ...
    .. модели: IRLR3105PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 55 В, 25 А, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95553B l l l l l l l Features HEXFET Power ...
    03-04-2011
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy
  1. Datasheet IRLU3105PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 55 В, 25 А, I-PAK
    .. SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Альтернативный тип корпуса: I-PAK Current Id Max: 25 А Тепловое сопротивление переход-корпус: 2.65°C/W On State resistance @ Vgs = 10V: 37 МОм Тип корпуса: IPAK Power Dissipation Pd: 57 Вт Pulse Current Idm: 100 А ...
    .. модели: IRLU3105PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 55 В, 25 А, I-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 94510B AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET® Power MOSFET ...
    03-04-2011
  1. Datasheet BSH121,135 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 300 мА, SOT323
    .. Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В Рассеиваемая мощность: 700 мВт Рабочий диапазон температрур: -65°C .. +150°C Корпус транзистора: SOT-323 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Current Id Max: 300 мА Тип ...
    .. модели: BSH121,135 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 300 мА, SOT323 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BSH121 N-channel enhancement mode field-effect ...
    04-04-2011
  2. Datasheet BUK9277-55A - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 18 А, SOT428
    .. Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 18 А Drain Source Voltage Vds: 55 В On State Resistance: 65 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 15 В Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +175°C Корпус ...
    .. модели: BUK9277-55A Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 18 А, SOT428 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK9277-55A N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. ...
    04-04-2011
  3. Datasheet PSMN7R0-30YL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 30 В 65 А SOT669
    .. модели: PSMN7R0-30YL Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH 30 В 65 А SOT669 Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 65 А Drain ...
    .. Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В Рассеиваемая мощность: 51 Вт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: SOT-669 Количество выводов: 4 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Current Id Max: 65 А On ...
    04-04-2011
  4. Datasheet PHT8N06LT,135 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 7.5 А, 4-SOT-223
    .. Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 7.5 А Drain Source Voltage Vds: 55 В On Resistance Rds(on): 65 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В RoHS: есть Дополнительные аксессуары: WAKEFIELD ...
    .. модели: PHT8N06LT,135 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 7.5 А, 4-SOT-223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification ...
    04-04-2011
  5. Datasheet STD65N55F3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 80 А, DPAK
    .. модели: STD65N55F3 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 80 А, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STD65N55F3 N-channel 55V - 6.5m - 80A - DPAK ...
    07-04-2011
  6. Datasheet STD7NM80 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 800 В 6.5 А DPAK
    .. Vds: 800 В On State Resistance: 950 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 30 В Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: D-PAK Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 6.5 А Тип ...
    07-04-2011
  7. Datasheet STF7NM80 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 800 В 6.5 А TO-220FP
    .. Vds: 800 В On State Resistance: 950 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 30 В Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: TO-220FP Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 6.5 А Тип ...
    07-04-2011
  8. Datasheet STP7NM80 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 800 В 6.5 А TO-220
    .. Vds: 800 В On State Resistance: 950 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 30 В Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: TO-220 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 6.5 А Тип ...
    07-04-2011

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "r 65 rd 55 bc" в других поисковых системах: DataSheet.ru
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России