Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Производитель:International Rectifier
Серия:IRF530N
Модель:IRF530N

PB-IRF530N. Leaded 100 V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package. Obsolete

Документы:

На английском языке: Datasheet International Rectifier IRF530N

    IRF530N на РадиоЛоцман.Цены — от 18,40 до 47,00 руб.
    MOSFET, N TO-220, Transistor Type:MOSFET, Transistor Polarity:N, Current, Id Cont:15A, Resistance, Rds On:0.11ohm, Case Style:TO-220AB, Current, Idm Pulse:60A, Device Marking:IRF530N, Pin...
    Цены на IRF530N
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанVishayIRF530N18,40 руб.
    PL-1IRF530Nот 19,00 руб.
    ДессиТранзистор полевой IRF530N46,36 руб.
    КремнийIRF530N-3Cпо запросу
    ТаймЧипсVishayIRF-530Nпо запросу
    Все 20 предложений от 12 поставщиков »

Классификация производителя:

Obsolete Leaded (Pb) N-Channel MOSFETs

Выписка из документа:
PD - 91351 IRF530N
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated D VDSS = 100V RDS(on) = 90m G S ID = 17A Description
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-2...

  • Серия: IRF530N (1)
    • IRF530N

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс