Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +

Производитель:ON Semiconductor

TMOS E-FET Power Field Effect Transistor. N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate. Obsolete


    IRF530 на РадиоЛоцман.Цены — от 18,20 до 47,00 руб.
    MOSFET Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Channel Drain Source Voltage Vds 100V Continuous Drain Current Id 14A On Resistance Rds(on 160mohm Rds(on Test Voltage...
    Цены на IRF530
    ЭлитанVishayIRF53018,20 руб.
    ICdaromInfineonIRF530Nот 20,05 руб.
    КремнийIRF530N,127по запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургIRF530Vпо запросу
    ЭлектроПластIRF530N/PBFпо запросу
    Все 27 предложений от 17 поставщиков »

Классификация производителя:


Выписка из документа:
IRF530 Product Preview TMOS E-FET.TM Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, and PWM motor controls. These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating area are critical and offer additional safety margin against unexpected...

На английском языке: Datasheet ON Semiconductor IRF530

  • Серия: IRF530 (1)
    • IRF530

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс