Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Производитель:ON Semiconductor
Серия:IRF530
Модель:IRF530

TMOS E-FET Power Field Effect Transistor. N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate. Obsolete

Документы:

На английском языке: Datasheet ON Semiconductor IRF530

    IRF530 на РадиоЛоцман.Цены — от 18,20 до 47,00 руб.
    MOSFET, N, 100V, 17A, TO-220, Transistor Type:MOSFET, Transistor Polarity:N, Voltage, Vds Typ:100V, Current, Id Cont:15A, Resistance, Rds On:0.11ohm, Voltage, Vgs Rds...
    Цены на IRF530
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанVishayIRF53018,20 руб.
    PL-1IRF530Nот 19,00 руб.
    ICdaromInfineonIRF530Nот 20,05 руб.
    КонтестInfineonIRF530N23,16 руб.
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургIRF530NSTRпо запросу
    Все 28 предложений от 18 поставщиков »

Классификация производителя:

MOSFETs

Выписка из документа:
IRF530 Product Preview TMOS E-FET.TM Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, and PWM motor controls. These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating area are critical and offer additional safety margin against unexpected...

  • Серия: IRF530 (1)
    • IRF530

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс