Infineon создала пятое поколение 650-В карбид-кремниевых диодов

ThinQ! пятого поколения — это передовая технология компании Infineon для карбид-кремниевых (SiC) диодов Шоттки.

Для данной разработки компания использовала свой запатентованный процесс диффузионной пайки, запущенный при производстве третьего поколения (G3), а также новую, более компактную конструкцию и технологию производства тонких полупроводниковых пластин. В результате новое семейство продукции обеспечивает более высокую эффективность при работе на любую нагрузку благодаря улучшенным тепловым характеристикам и меньшему значению показателя качества (Q_c × V_f).

ThinQ! пятого поколения предназначена для дополнения 650-В семейств CoolMOS компании Infineon, обеспечивая тем самым соответствие самым строгим требованиям в данном диапазоне напряжения.

Результаты экспериментов: Сравнение эффективности между тремя поколениями 8-А карбид-кремниевых диодов компании Infineon a) Абсолютные значения b) Относительно thinQ! пятого поколения (CCM PFC, high line, Pout max = 1800 Вт, fSW = 65 кГц, THS = 60°C, MOSFET: IPW60R075CP)

Особенности

• V_br при 650 В
• Улучшенный показатель качества (Q_c × V_f)
• Отсутствие заряда обратного восстановления
• Сигнал обратного восстановления с мягким переключением
• Независимая от температуры характеристика переключения
• Высокая рабочая температура (Tj max = +175 °C)
• Повышенная нагрузочная способность по импульсному току
• Бессвинцовое покрытие выводов
• 10 лет опыта в производстве карбид-кремниевых диодов

Применение

• Импульсные блоки питания телекоммуникационных систем/серверов
• Солнечные батареи/ИБП
• Блоки питания ПК
• LED/LCD-телевизоры
• Управление двигателями
• Схемы управления лампами высокой интенсивности