Новый уровень стандартов запоминающих устройств для обработки постоянно растущих объемов мобильного контента
Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли встраиваемой универсальной флеш-памяти (embedded Universal Flash Storage – eUFS) емкостью 512 ГБ для использования в мобильных устройствах следующих поколений. Представленные приборы, основанные на 64-слойных кристаллах V-NAND емкостью 512 Гбит, обеспечат беспрецедентную емкость памяти и высокую производительность для флагманских моделей смартфонов и планшетов следующих поколений.
Новые приборы Samsung, состоящие из установленных друг на друга восьми 64-слойных кристаллов V-NAND емкостью 512 Гбит и кристалла контроллера, удваивают плотность хранения предыдущих eUFS, основанных на 48-слойных чипах V-NAND емкостью 256 Гбит, занимая такой же объем, что и корпус 256 ГБ. Увеличенная емкость eUFS намного расширит возможности мобильных устройств. К примеру, новый накопитель высокой емкости позволяет флагманскому смартфону сохранить порядка 130 10-минутных видеоклипов формата 4K Ultra HD (3840 × 2160), что примерно в десять раз превышает возможности eUFS 64 Гбит, позволяющего записать лишь около 13 видеоклипов такого же размера.
Для улучшения характеристик новой памяти и повышения ее энергоэффективности Samsung разработала и запатентовала ряд новых технологий. Усовершенствованная конструкция 64-слойных 512-гигабитных чипов V-NAND и новая технология управления памятью сводят к минимуму неизбежное увеличение потребляемой энергии, что особенно примечательно, учитывая двукратный рост количества запоминающих ячеек по сравнению с eUFS объемом 256 ГБ. Кроме того, новый контроллер управление памятью eUFS ускоряет трансляцию логических адресов блоков в физические.
Созданная Samsung eUFS емкостью 512 ГБ отличается исключительно высоким быстродействием, как в режиме чтения, так и в режиме записи. Скорость последовательного чтения и записи достигающая 860 МБ/с и 255 МБ/с, соответственно, позволяет перенести на твердотельный накопитель видеоклип Full HD эквивалентного размера 5 ГБ примерно за шесть секунд – более чем в восемь раз быстрее, чем на типичные карты microSD.
Скорость произвольного доступа к памяти составляет 42,000 операций в секунду при чтении и 40,000 операций в секунду в режиме записи. Это примерно в 400 раз быстрее, чем 100 операций ввода/вывода в секунду, типичные для обычной карты microSD, благодаря чему пользователи мобильных устройств получат беспрецедентное наслаждение от таких мультимедийных возможностей, как режим непрерывной съемки высокого разрешения или поиск и загрузка видео в режиме двух приложений.
В связи с этим Samsung намерена активно наращивать объемы выпуска своих 64-слойных 512-гигабитных чипов V-NAND, и кроме того, расширять производство V-NAND объемом 256 Гбит. Это позволит удовлетворить растущий спрос на более совершенные встраиваемые устройства хранения данных, а также на твердотельные накопители и съемные карты памяти премиального класса.
