 BSM25GD120DN2 Тиристор Бренд: Infineon | Цена от 5 425 ₽ до 23 520 ₽ Медиана 15 520 ₽ В наличии 4 цены от 4 поставщиков |
| N Поставщик Штаб-квартира Регион доставки | |
|---|---|
Фото Товар Производитель Актуальность прайса Описание | Цена Условия заказа Сроки поставки Склад и наличие |
1  AllElco Electronics Китай Весь мир | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 14210 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 5010 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 14150 шт |
| Еще 5 строк | |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 7960 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 6690 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 4700 шт |
IGBT Module | запрос 5-7 дней склад 8470 шт |
IGBT MOD 1200V 35A 200W | 11 391 ₽ от 10 5-7 дней склад 42275 шт |
2  Lixinc Electronics Китай Весь мир | |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17-Pin ECONO2-2 T/R / IGBT ... Далее BSM25GD120DN2E3224Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17-Pin ECONO2-2 T/R / IGBT Power Module | запрос склад 13378 шт |
| 3 Augswan Китай Весь мир | |
IGBT - Standard Modules 1200V, 25A, FL BRIDGE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 10062 шт |
MODULE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 7296 шт |
IGBT - Standard Modules 1200V 25A 3-PHASE | запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 12838 шт |
| Еще 1 строка | |
запрос 2-7 дней отгрузка со склада в Китае склад 6505 шт | |
| 4 AiPCBA Китай Весь мир | |
13 792 ₽ 2-7 дней склад 237 шт | |
13 788 ₽ 2-7 дней склад 274 шт | |
6 120 ₽ 2-7 дней склад 10 шт | |
5  Софт-Логистик Саранск Россия | |
igbt модули | 8 161 ₽ на складе |
| 6 ChipWorker Китай Весь мир | |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ... Далее BSM25GD120DN2Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin EconoPACK 2A | 5 425 ₽ 2-5 дней склад 161 шт |
Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ... Далее BSM25GD120DN2E3224Транзистор IGBT, Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ECONOPACK 2 T/R | 54.8 ₽ 2-5 дней склад 14317 шт |
, 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT | 6 890 ₽ 2-5 дней склад 132 шт |
| 7 727GS Китай Весь мир | |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17-Pin ECONO2-2 T/R / IGBT ... Далее BSM25GD120DN2E3224Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17-Pin ECONO2-2 T/R / IGBT Power Module | запрос склад 13378 шт |
8  Стандарт СИЗ Москва РоссияТолько юр.лица Безнал. расчет Заказ от 5000 руб. Строка от 400 руб. | |
BSM25GD120DN2 23 Май 2025 04:02 | запрос от 5000 ₽ |
| 9 ЭлектроПласт Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM25GD120DN2-E3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
10  ЧипСити Москва Россия | |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin EconoPACK 2A | 17 249 ₽ 3-7 дней склад 1026 шт |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ECONOPACK 2 T/R | 9 626 ₽ 3-7 дней склад 2181 шт |
35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT | 5 753 ₽ 3-7 дней склад 183 шт |
| 11 Контест Москва Россия | |
BSM25GD120DN2 16 Июн 2025 02:50 Тиристор | 23 520 ₽ |
BSM25GD120DN2E3224 16 Июн 2025 02:50 | 16 831 ₽ |
| 12 Кремний Санкт-Петербург Россия и страны СНГ | |
IGBTмодуль | запрос 2 недели |
модуль | запрос 2 недели |
BSM25GD120DN2 16 Июн 2025 22:43 | запрос 7-14 дней |
| Еще 2 строки | |
bsm25gd120dn2e3224 16 Июн 2025 22:43 | запрос 7-14 дней |
bsm25gd120dn2pulls 16 Июн 2025 22:43 | запрос 7-14 дней |
| 13 ТаймЧипс Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM25GD120DN2E 3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
| 14 Элитан Ижевск Россия Безнал. расчет Филиалы: Москва Санкт-Петербург Екатеринбург Новосибирск | |
45 378 ₽ | |
| 15 МосЧип Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM25GD120DN2E32246Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A | запрос 7-14 дней |
| 16 LifeElectronics Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM25GD120DN2E3Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
| 17 TradeElectronics Москва Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1. ... Далее BSM25GD120DN2E3224Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A | запрос 7-14 дней |
| 18 Океан Электроники Санкт-Петербург Россия | |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ... Далее BSM25GD120DN2EМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE | запрос 7-14 дней |
| USD | 79.0028 |
| EUR | 90.0068 |
