Datasheet ON Semiconductor IRF530 — Даташит

ПроизводительON Semiconductor
СерияIRF530
МодельIRF530

TMOS E-FET Power Field Effect Transistor. N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate. Obsolete

Datasheets

Datasheet IRF530
PDF, 192 Кб, Файл закачен: 31 июл 2016, Страниц: 7
TMOS E−FET Power Field Effect. Transistor N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
Выписка из документа

Цены

32 предложений от 24 поставщиков
N-Channel TrenchMOS transistor VDSS=100V_Id=17 A_RDS(ON) = 110mOm
AliExpress
Весь мир
100% новый и оригинальный IRF530NPBF TO-220 IRF530NSTRLPBF TO-263-3 N-channel 17A/100V DIP/SMD MOSFET
15 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
IRF530NPBF
Infineon
18 ₽
IRF530NPBF
Infineon
31 ₽
IRF530NTU
по запросу
Вебинар «Новинки и решения Traco для промышленных и отраслевых приложений» (28.10.2021)

Классификация производителя

  • MOSFETs

На английском языке: Datasheet ON Semiconductor IRF530

Изготовление 1-4 слойных печатных плат за $2

Синхронизатор тактового сигнала с двумя цифровыми контурами ФАПЧ AD9546 от Analog Devices