Datasheets - Полевые транзисторы ON Semiconductor

• Полупроводниковые приборы
• Дискретные приборы
• Транзисторы, транзисторные сборки и модули
• Полевые транзисторы

Вид: Список / Картинки

1. MTP33N10E — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor MTP33N10E
   Транзисторы, транзисторные сборки и модули ON Semiconductor MTP33N10E
   Мощный МОП-транзистор 33 Ампер, 100 Вольт Этот силовой МОП-транзистор разработан для выдерживания высокой энергии в режимах лавинного пробоя и коммутации. Энергоэффективная конструкция также предлагает сток-истоковый диод с быстрым временем ...
2. MTP20N20E — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor MTP20N20E
   Транзисторы, транзисторные сборки и модули ON Semiconductor MTP20N20E
   Мощный МОП-транзистор 20 А, 200 Вольт Этот силовой МОП-транзистор разработан для выдерживания высокой энергии в режимах лавинного пробоя и коммутации. Энергоэффективная конструкция также предлагает сток-истоковый диод с быстрым временем ...

3. CPH3362 — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor CPH3362
   Транзисторы, транзисторные сборки и модули ON Semiconductor CPH3362
   Мощный МОП-транзистор 100 В, 1,7 Ом, 0,7 А, одинарный P-канал
4. BS107ARL1G — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor BS107A BS107ARL1G
   Малосигнальный МОП-транзистор 250 мА, 200 В, N-канал

5. MTP50P03HDL — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor MTP50P03HDL
   Силовой МОП-транзистор -30 В - 50 А, 25 мОм, одиночный P-канал, логический уровень TO-220 Этот силовой МОП-транзистор предназначен для выдерживания высоких энергий в лавинном и коммутационном режимах. Энергоэффективная конструкция также включает ...
6. NDS331N — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor NDS331N
   N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор 20 В, 1,3 А, 0,21 Ом Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным логическим уровнем производятся с использованием запатентованной ON Semiconductor технологии DMOS с высокой ...
7. FDN340P — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor FDN340P
   Одиночный P-канальный логический уровень PowerTrench MOSFET -20 В, -2 А, 70 мОм Этот полевой МОП-транзистор с P-канальным логическим уровнем изготовлен с использованием усовершенствованного процесса Power Trench, который был специально разработан ...
8. NDS351AN — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor NDS351AN
   N-канальный логический уровень PowerTrench MOSFET 30 В, 1,4 А, 160 мОм Эти N-канальные МОП-транзисторы логического уровня производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench компании ON Semiconductor Semiconductor, который был ...
9. HUF75652G3 — Datasheet ON Semiconductor
   Полевые транзисторы ON Semiconductor HUF75652G3
   N-Channel UltraFET Power MOSFET 100 В, 75 А, 8 мОм
10. BSS123-G — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor BSS123 BSS123-G
    N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор 100 В, 170 мА, 6 Ом Этот N-канальный полевой МОП-транзистор изготовлен с использованием запатентованной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот продукт был разработан для ...
11. MTP3N60E/D — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor MTP3N60E MTP3N60E/D
    TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate Этот усовершенствованный высоковольтный TMOS E-FET спроектирован так, чтобы выдерживать высокую энергию в лавинном режиме и эффективно переключаться. Это новое ...
12. BS108 — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor BS108
    Малый сигнальный МОП-транзистор 200 В, 250 мА, 10 Ом, одиночный N-канальный логический уровень TO-92 Этот МОП-транзистор предназначен для высоковольтных и высокоскоростных коммутационных приложений, таких как линейные драйверы, драйверы реле, ...
13. FDV303N — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor FDV303N
    N-канальный цифровой полевой транзистор 25 В, 0,68 А, 0,45 Ом Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным режимом производятся с использованием запатентованной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с очень высокой плотностью ...
14. MTP36N06V — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor MTP36N06V
    Силовой полевой МОП-транзистор, 32 А, 60 В, N-канал, TO-220 Это устройство устарело.
15. NTD4815NH — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NTD4815NH
    Силовой полевой МОП-транзистор 30 В, 35 А, 15 мОм, одиночный N-канальный DPAK Силовой полевой МОП-транзистор 30 В, 35 А, один канал N, DPAK / IPAK
16. NTD6600N-1G — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NTD6600N NTD6600N-1G
    Силовой MOSFET Силовой полевой МОП-транзистор 100 В, 12 А, канал N, логический уровень DPAK
17. NTH4L015N065SC1 — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NTH4L015N065SC1
    МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 15,6 мОм, TO247-4L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с ...
18. NVH4L015N065SC1 — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NVH4L015N065SC1
    МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 12 мОм, TO247-4L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с ...
19. NTBG015N065SC1 — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NTBG015N065SC1
    МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 15,3 мОм, D2PAK − 7L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с ...
20. NVBG015N065SC1 — Datasheet ON Semiconductor
    Полевые транзисторы ON Semiconductor NVBG015N065SC1
    МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 12 мОм, D2PAK − 7L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с ...

Сортировать по: релевантность / дата