Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E/D — Даташит

ПроизводительON Semiconductor
СерияMTP3N60E
МодельMTP3N60E/D

TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

Datasheets

Datasheet MTP3N60E
PDF, 292 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 сен 2022, Страниц: 9
TMOS E−FET High Energy Power FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
Выписка из документа

Цены

7 предложений от 7 поставщиков
TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS
ChipWorker
Весь мир
MTP3N60E
Motorola
68 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
MTP3N60E
103 056 ₽
Allelco
Весь мир
MTP3N60E
ON Semiconductor
по запросу
Augswan
Весь мир
MTP3N60E
ON Semiconductor
по запросу
Универсальные LED-драйверы семейства X6E от MOSO

Подробное описание

Этот усовершенствованный высоковольтный TMOS E-FET спроектирован так, чтобы выдерживать высокую энергию в лавинном режиме и эффективно переключаться.

Это новое высокоэнергетическое устройство также оснащено диодом сток-исток с быстрым временем восстановления. Разработанные для высоковольтных, высокоскоростных коммутационных приложений, таких как источники питания, устройства управления двигателями с ШИМ и другими индуктивными нагрузками, способность лавинной энергии предназначена для устранения предположений в конструкциях, в которых индуктивные нагрузки коммутируются, и обеспечивает дополнительный запас безопасности против непредвиденных переходных процессов напряжения.

Модельный ряд

Серия: MTP3N60E (1)
  • MTP3N60E/D

Классификация производителя

  • Discretes & Drivers > MOSFETs

На английском языке: Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E/D

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка