Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E/D — Даташит
Производитель | ON Semiconductor |
Серия | MTP3N60E |
Модель | MTP3N60E/D |
TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
Datasheets
TMOS E−FET High Energy Power FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
Цены
Купить MTP3N60E на РадиоЛоцман.Цены — от 68 до 103 056 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS | |||
MTP3N60E Motorola | 68 ₽ | ||
MTP3N60E | 103 056 ₽ | ||
MTP3N60E ON Semiconductor | по запросу | ||
MTP3N60E ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Этот усовершенствованный высоковольтный TMOS E-FET спроектирован так, чтобы выдерживать высокую энергию в лавинном режиме и эффективно переключаться.
Это новое высокоэнергетическое устройство также оснащено диодом сток-исток с быстрым временем восстановления. Разработанные для высоковольтных, высокоскоростных коммутационных приложений, таких как источники питания, устройства управления двигателями с ШИМ и другими индуктивными нагрузками, способность лавинной энергии предназначена для устранения предположений в конструкциях, в которых индуктивные нагрузки коммутируются, и обеспечивает дополнительный запас безопасности против непредвиденных переходных процессов напряжения.
Модельный ряд
- MTP3N60E/D
Классификация производителя
- Discretes & Drivers > MOSFETs