Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E/D — Даташит

ПроизводительON Semiconductor
СерияMTP3N60E
МодельMTP3N60E/D

TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

Datasheets

Datasheet MTP3N60E
PDF, 292 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 сен 2022, Страниц: 9
TMOS E−FET High Energy Power FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
Выписка из документа

Цены

5 предложений от 5 поставщиков
TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS
T-electron
Россия и страны СНГ
MTP3N60E
98 891 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
MTP3N60E
по запросу
Flash-Turtle
Весь мир
MTP3N60E
Motorola
по запросу
Acme Chip
Весь мир
MTP3N60E
ON Semiconductor
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Этот усовершенствованный высоковольтный TMOS E-FET спроектирован так, чтобы выдерживать высокую энергию в лавинном режиме и эффективно переключаться.

Это новое высокоэнергетическое устройство также оснащено диодом сток-исток с быстрым временем восстановления. Разработанные для высоковольтных, высокоскоростных коммутационных приложений, таких как источники питания, устройства управления двигателями с ШИМ и другими индуктивными нагрузками, способность лавинной энергии предназначена для устранения предположений в конструкциях, в которых индуктивные нагрузки коммутируются, и обеспечивает дополнительный запас безопасности против непредвиденных переходных процессов напряжения.

Модельный ряд

Серия: MTP3N60E (1)
  • MTP3N60E/D

Классификация производителя

  • Discretes & Drivers > MOSFETs

На английском языке: Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E/D

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России