Datasheets - Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor

• Полупроводниковые приборы
• Дискретные приборы
• Транзисторы, транзисторные сборки и модули
• Полевые транзисторы

Вид: Список / Картинки

1. MTP10N08 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor MTP10N08
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
2. MTP10N10 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor MTP10N10
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...

3. IRF120 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF120
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
4. IRF121 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF121
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...

5. IRF122 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF122
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
6. IRF123 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF123
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
7. IRF520 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF520
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
8. IRF521 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF521
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
9. IRF522 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF522
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
10. IRF523 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF523
    Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
11. 2N6756 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N6756
    Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
12. 2N6755 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N6755
    Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
13. 2N6661 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N6661
    Trans MOSFET N-CH 90V 0.35A 3-Pin TO-39
14. 2N6660 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N6660
    Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
15. 2N6659 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N6659
    Trans MOSFET N-CH 35V 1.4A 3-Pin TO-205AD
16. 2N4360 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N4360
    Trans MOSFET P-CH Si 20V
17. 2N4352 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N4352
    Trans MOSFET N-CH 25V 0.1A 4-Pin TO-72
18. 2N4351 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N4351
    Trans MOSFET N-CH 25V 0.1A 4-Pin TO-72
19. IRFP360 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRFP360
    Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
20. IRFP362 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRFP362
    Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

Сортировать по: релевантность / дата