На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet New Jersey Semiconductor 2N6659 — Даташит

ПроизводительNew Jersey Semiconductor
Серия2N6659
Модель2N6659

Trans MOSFET N-CH 35V 1.4A 3-Pin TO-205AD

Datasheets

Datasheet
PDF, 111 Кб, Файл закачен: 22 июн 2018
Выписка из документа

Цены

11 предложений от 11 поставщиков
МОП-транзистор 35V 1.8 OHM
AiPCBA
Весь мир
2N6659
Vishay
3 677 ₽
ChipWorker
Весь мир
2N6659-E3
Vishay
4 421 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
JANTX2N6659
по запросу
Acme Chip
Весь мир
2N6659
Vishay
по запросу
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

Параметры

CategoryPower MOSFET
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Maximum Continuous Drain Current1.4 A
Maximum Drain Source Voltage35 В
Maximum Gate Source Voltage±20 В
Максимальное рассеяние мощности6250 mW
Number of Elements per Chip1
Рабочая температура максимальная150 °C
Рабочая температура минимальная-55 °C
Supplier Temperature GradeCommercial

Другие варианты исполнения

2N6660 2N6661

Классификация производителя

  • MOSFET

На английском языке: Datasheet New Jersey Semiconductor 2N6659

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России