Datasheet New Jersey Semiconductor IRF123 — Даташит

Производитель	New Jersey Semiconductor
Серия	IRF123
Модель	IRF123

Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60–100 В

Datasheets

Просмотр и загрузка

PDF, 812 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 ноя 2022, Страниц: 3
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V

Выписка из документа

Цены

Купить IRF123 на РадиоЛоцман.Цены — от 49 до 12 895 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Trans MOSFET N-CH 80V 8A 3Pin(2+Tab) TO-3
ЧипСити Россия	IRF123 International Rectifier	49 ₽
AiPCBA Весь мир	IRF123 International Rectifier	51 ₽
ЭлектроПласт Россия	IRF123H	по запросу
Acme Chip Весь мир	IRF123 International Rectifier	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники питания, преобразователи, устройства управления двигателями переменного и постоянного тока, драйверы реле и соленоидов и другие импульсные схемы.

Другие варианты исполнения

IRF120 IRF121 IRF122 IRF520 IRF521 IRF522 IRF523 MTP10N08 MTP10N10

Классификация производителя

MOSFET