Datasheet New Jersey Semiconductor IRF521 — Даташит
| Производитель | New Jersey Semiconductor |
| Серия | IRF521 |
| Модель | IRF521 |
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60–100 В
Datasheets
Datasheet IRF, MTP
PDF, 812 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 ноя 2022, Страниц: 3
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Выписка из документа
 Купить IRF521 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 250 ₽17 предложений от 16 поставщиков , Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | |||
| IRF521 Harris | 144 ₽ | ||
| IRF521P Supertex | по запросу | ||
| IRF521R Infineon | по запросу | ||
| IRF521NS Supertex | по запросу | ||
Подробное описание
Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники питания, преобразователи, устройства управления двигателями переменного и постоянного тока, драйверы реле и соленоидов и другие импульсные схемы.
Другие варианты исполнения
IRF120 IRF121 IRF122 IRF123 IRF520 IRF522 IRF523 MTP10N08 MTP10N10
Классификация производителя
- MOSFET
