OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet New Jersey Semiconductor MTP10N10 — Даташит

ПроизводительNew Jersey Semiconductor
СерияMTP10N10
МодельMTP10N10

Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60–100 В

Datasheets

Datasheet IRF, MTP
PDF, 812 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 ноя 2022, Страниц: 3
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Выписка из документа

Цены

17 предложений от 16 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
ChipWorker
Весь мир
MTP10N10ELG
ON Semiconductor
97 ₽
727GS
Весь мир
MTP10N10ELG
ON Semiconductor
от 133 ₽
MTP10N10M
Motorola
2 016 ₽
IC Home
Весь мир
MTP10N10ELG
ON Semiconductor
по запросу
LED-драйверы MOSO для промышленного и архитектурного освещения доступны со склада КОМПЭЛ

Подробное описание

Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники питания, преобразователи, устройства управления двигателями переменного и постоянного тока, драйверы реле и соленоидов и другие импульсные схемы.

Другие варианты исполнения

IRF120 IRF121 IRF122 IRF123 IRF520 IRF521 IRF522 IRF523 MTP10N08

Классификация производителя

  • MOSFET

На английском языке: Datasheet New Jersey Semiconductor MTP10N10

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка