Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet New Jersey Semiconductor IRF523 — Даташит

ПроизводительNew Jersey Semiconductor
СерияIRF523
МодельIRF523

Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60–100 В

Datasheets

Datasheet IRF, MTP
PDF, 812 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 ноя 2022, Страниц: 3
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Выписка из документа

Цены

10 предложений от 10 поставщиков
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
ЭИК
Россия
IRF523
Harris
76 ₽
IRF523NS
Fairchild
по запросу
Flash-Turtle
Весь мир
IRF523
Harris
по запросу
IRF523(R)
Fairchild
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники питания, преобразователи, устройства управления двигателями переменного и постоянного тока, драйверы реле и соленоидов и другие импульсные схемы.

Другие варианты исполнения

IRF120 IRF121 IRF122 IRF123 IRF520 IRF521 IRF522 MTP10N08 MTP10N10

Классификация производителя

  • MOSFET

На английском языке: Datasheet New Jersey Semiconductor IRF523

Электронные компоненты. Летние скидки и кэшбэк от ТМ Электроникс