Datasheet New Jersey Semiconductor IRF520 — Даташит
| Производитель | New Jersey Semiconductor |
| Серия | IRF520 |
| Модель | IRF520 |
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60–100 В
Datasheets
Datasheet IRF, MTP
PDF, 812 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 ноя 2022, Страниц: 3
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Выписка из документа
Цены
 Купить IRF520 на РадиоЛоцман.Цены — от 100 до 104 ₽70 предложений от 32 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 9.7 А, 0.2 Ом, TO-220AB, Through Hole | |||
| IRF520NSTRLPBF Infineon | от 100 ₽ | ||
| IRF520PBF Vishay | 8.26 ₽ | ||
| IRF520NPBF Infineon | от 52 ₽ | ||
| IRF520NPBF Infineon | от 91 ₽ | ||
Подробное описание
Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники питания, преобразователи, устройства управления двигателями переменного и постоянного тока, драйверы реле и соленоидов и другие импульсные схемы.
Другие варианты исполнения
IRF120 IRF121 IRF122 IRF123 IRF521 IRF522 IRF523 MTP10N08 MTP10N10
Классификация производителя
- MOSFET
