Datasheet New Jersey Semiconductor IRF522 — Даташит

Производитель	New Jersey Semiconductor
Серия	IRF522
Модель	IRF522

Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60–100 В

Datasheets

Просмотр и загрузка

PDF, 812 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 ноя 2022, Страниц: 3
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V

Выписка из документа

Цены

Купить IRF522 на РадиоЛоцман.Цены 8 предложений от 8 поставщиков N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs
TradeElectronics Россия	IRF522R2 Supertex	по запросу
LifeElectronics Россия	IRF522R Supertex	по запросу
ТаймЧипс Россия	IRF522P Supertex	по запросу
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IRF522 Supertex	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники питания, преобразователи, устройства управления двигателями переменного и постоянного тока, драйверы реле и соленоидов и другие импульсные схемы.

Другие варианты исполнения

IRF120 IRF121 IRF122 IRF123 IRF520 IRF521 IRF523 MTP10N08 MTP10N10

Классификация производителя

MOSFET